针对元件的漏电失效模式，EMMI(微光显微镜）是必不可少的分析工具。器件在设计、生产制造过程中有绝缘缺点，或者经过外界静击穿穿，均会造成器件漏电失效。漏电失效模式的器件在通电状态下，内部形成流动电流，漏电位置的电子会发生迁移，形成电能向光能的转化，即电能以光能的方式释放，通过红外显微镜探测到这些释放出来的红外线，来定位件的漏电位置点。 微光显微镜是元器件分析过程中针对漏电失效模式，必不可少的分析工具。器件在设计、生产制造过程中有绝缘缺点，或者期间经过外界静击穿穿，均会造成器件漏电失效。漏电失效模式的器件在通电得状态下，内部形成流动电流，漏电位置的电子会发生迁移，形成电能向光能的转化，即电能以光能的方式释放，从而形成200nm~1700nm红外线。微光射显微镜主要利用红外线探测器，探测到这些释放出来的红外线，从而准确的定位件的漏电点。口碑好失效分析择优推荐
对于元件的失效分析而言，微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。它主要用于侦测IC内部所放出光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination会放出光子(Photon)。举例说明：在P-N 结加偏压，此时N阱的电子很容易扩散到P阱，而P的空穴也容易扩散至N然后与P端的空穴（或N端的电子）做 EHP Recombination。 会产生亮点的缺点 - 漏电结（Junction Leakage）; 接触毛刺（Contact spiking）; （热电子效应）Hot electrons;闩锁效应（ Latch-Up）;氧化层漏电（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶须（Poly-silicon filaments）; 衬底损伤（Substrate damage）; （物理损伤）Mechanical damage等。原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。 不会出现亮点的故障 - 欧姆接触；金属互联短路；表面反型层；硅导电通路等。亮点被遮蔽之情况 - Buried Junctions及Leakage sites under metal，这种情况可以采用backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及抛光处理。口碑好失效分析价格
案例分析： 背景: 器件检测后发现在VDD和ADIO引脚之间大约有2K的泄漏。 分析总结：在核实FAI参数界面的泄漏报告后，此器件通过使用几项分析技术确定原因和缺点状况。下面描述了三种测试技术。 InGaAs:在室温下检测到微小泄漏。获得的数据是热点而不是重组的。 FMI：用波长385纳米的紫外线光源。FAI参数界面提供失效点的完整图片。 SIFT：用1480纳米波长的光源扫描完整芯片，发现失效区域在芯片一角，定位在失效区域进一步扫描发现失效点。 结论：使用FMI, SIFT and Thermal IR明显的确认该部件有一个热的不稳定的短路点。基于FMI结果确定失效点位于表层下接近层金属。
我们专有的整套的Crystal Vision软件，它的设计基于容易使用操作，强大的功能同时可以控制所有的硬件和变量分析。客户在初购买时可以选择其中几个模块，当以后的工作需要时可以在其基础上继续增加应用模块。 我们的参数界面是一个模块，用户使用这个模块可以使电子触发信号和图像捕捉保持同步。 由于我们的客户不断发展新产品和新技术，所以失效分析技术的发展能够与其保持同步是至关重要的。FAI的***的硬件和软件模块为我们的设备提供了预见性的功能模块， 使得使用我们机器的用户能够享受设备升级带来的好处。 比如激光技术和LED技术的升级，允许我们加宽光源范围，将全部波长的光谱应用于样品正面和背面检查。
苏州兰博斯特电子科技公司正式成立于2015年4月，位于风景秀丽的金鸡湖畔。 我们致力于引进欧美先进的电子技术、研发分析技术和**测试技术。我们代理和销售电子、半导体、新能源等行业的生产及测试设备，失效分析设备仪器。如：美国MACCOR电池测试仪，**测试仪，EMMI微光显微镜，热阻特性测试仪，激光开封机，化学开封机，机械开封机，桌面型温控仪等。 尤其在新能源测试和失效分析等方面，我们有着专业的销售和技术支持服务团队，相关产品遍布国内各大质量**企业和高等院校以及****、航空、航天等科研院所。 我们为广大客户提供着质量、快捷、专业的测试(ICT,**测试，FCT）、失效分析等解决方案及技术支持！赢得了广大客户的信赖和支持！智能失效分析质量商家
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