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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

根据型号和加热器尺寸,EVG500系列键合机可以用于碎片和50 mm至300 mm的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、研发,并且可以通过简单的方法进行大批量生产,因为键合程序可以转移到EVG GEMINI大批量生产系统中。

键合室配有通用键合盖,可快速排空,快速加热和冷却。通过控制温度,压力,时间和气体,允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂,可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的**温度控制补偿了不同的热膨胀系数,从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下,可以在真空下执行SOI / SDB(硅的直接键合)预键合。 除了支持3D互连和MEMS制造,晶圆级和先进封装外,EVG的EVG500系晶圆键合机还可用于研发,中试和批量生产。价格怎么样键合机有哪些应用

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EVG键合机加工结果

除支持晶圆级和先进封装,3D互连和MEMS制造外,EVG500系列晶圆键合机(系统)还可用于研发,中试或批量生产。它们通过在高真空,精确控制的精/准的真空,温度或高压条件下键合来满足各种苛刻的应用。该系列拥有多种键合方法,包括阳极,热压缩,玻璃料,环氧树脂,UV和熔融键合。EVG500系列基于独特的模块化键合室设计,可实现从研发到大批量生产的简单技术转换。

模块设计

各种键合对准(对位)系统配置为各种MEMS和IC应用提供了多种优势。使用直接(实时)或间接对准方法可以支持大量不同的对准技术。 西藏键合机有哪些应用EVG键合机通过控制温度,压力,时间和气体,允许进行大多数键合过程。

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EVG ® 850 LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统

用途:自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用


特色

技术数据

晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合,熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁,等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此,经过实践检验的行业标准EVG850

LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量,高产量生产工艺。

永/久键合系统

EVG晶圆键合方法的引入将键合对准与键合步骤分离开来,立即在业内掀起了市场**。利用高温和受控气体环境下的高接触力,这种新颖的方法已成为当今的工艺标准,EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额,并且安装的机台已经超过1500个。EVG的晶圆键合机可提供**/佳的总拥有成本(TCO),并具有多种设计功能,可优化键合良率。针对MEMS,3D集成或高级封装的不同市场需求,EVG优化了用于对准的多个模块。下面是EVG的键合机EVG500系列介绍。 EVG键合机提供的加工服务。

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EVG ® 501键合机特征

独特的压力和温度均匀性

兼容EVG机械和光学对准器

灵活的研究设计和配置

从单芯片到晶圆

各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)

可选的涡轮泵(<1E-5mbar)

可升级用于阳极键合

开室设计,易于转换和维护

兼容试生产,适合于学校、研究所等

开室设计,易于转换和维护

200 mm键合系统的**小占地面积:0.8

平方米

程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容


EVG ® 501键合机技术数据

**/大接触力为20kN

加热器尺寸     150毫米   200毫米

**小基板尺寸      单芯片   100毫米

真空

标准:0.1毫巴


可选:1E-5 mbar


自动晶圆键合机系统EVG®560,拥有多达4个键合室,能满足各种键合操作;可以自动装卸键合室和冷却站。新疆EVG850 TB键合机

对于无夹层键合工艺,材料和表面特征利于键合,但为了与夹层结合,键合材料沉积和组成决定了键合线的材质。价格怎么样键合机有哪些应用

EVG ® 810 LT技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

50-200、100-300毫米

LowTemp™等离子活化室

工艺气体:2种标准工艺气体(N 2和O 2)

通用质量流量控制器:自校准(高达20.000 sccm)

真空系统:9x10 -2 mbar

腔室的打开/关闭:自动化

腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)


可选功能

卡盘适用于不同的晶圆尺寸

无金属离子活化

混合气体的其他工艺气体

带有涡轮泵的高真空系统:9x10 -3 mbar基本压力


符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统

Si:Si / Si,Si / Si(热氧化,Si(热氧化)/

Si(热氧化)

TEOS / TEOS(热氧化)

绝缘体锗(GeOI)的Si / Ge

Si/Si3N4

玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃

化合物半导体:GaAs,GaP,InP

聚合物:PMMA,环烯烃聚合物


用户可以使用上述和其他材料的“**/佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)


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