EMMI可搭配激光诱导 OBIRCH（光束诱导电阻变化） 光诱导电阻变化（OBIRCH）模式能快速准确的进行IC中元件的短路、布线和通孔互联中的空洞、金属中的硅沉积等缺点。其工作原理是利用激光束在恒定电压下的器件表面进行扫描，激光束部分能量转化为热能，如果金属互联线存在缺点，缺点处温度将无法迅速通过金属线传导散开，这将导致缺点处温度累计升高，并进一步引起金属线电阻以及电流变化，通过变化区域与激光束扫描位置的对应，定位缺点位置。OBIRCH模式具有高分辨能力，其测试精度可达nA级。 PEM（Photo Emission Microscope) 光束诱导电阻变化（OBIRCH）功能与光发射（EMMI）常见集成在一个检测系统，合称PEM（Photo Emission Microscope)，两者互为补充，能够很好的应对绝大多数失效模式。湖南专业失效分析好货源好价格
案例分析： 背景: 器件检测后发现在VDD和ADIO引脚之间大约有2K的泄漏。 分析总结：在核实FAI参数界面的泄漏报告后，此器件通过使用几项分析技术确定原因和缺点状况。下面描述了三种测试技术。 InGaAs:在室温下检测到微小泄漏。获得的数据是热点而不是重组的。 FMI：用波长385纳米的紫外线光源。FAI参数界面提供失效点的完整图片。 SIFT：用1480纳米波长的光源扫描完整芯片，发现失效区域在芯片一角，定位在失效区域进一步扫描发现失效点。 结论：使用FMI, SIFT and Thermal IR明显的确认该部件有一个热的不稳定的短路点。基于FMI结果确定失效点位于表层下接近层金属。湖北正规失效分析厂家直供
针对元件的漏电失效模式，EMMI(微光显微镜）是必不可少的分析工具。器件在设计、生产制造过程中有绝缘缺点，或者经过外界静击穿穿，均会造成器件漏电失效。漏电失效模式的器件在通电状态下，内部形成流动电流，漏电位置的电子会发生迁移，形成电能向光能的转化，即电能以光能的方式释放，通过红外显微镜探测到这些释放出来的红外线，来定位件的漏电位置点。 微光显微镜是元器件分析过程中针对漏电失效模式，必不可少的分析工具。器件在设计、生产制造过程中有绝缘缺点，或者期间经过外界静击穿穿，均会造成器件漏电失效。漏电失效模式的器件在通电得状态下，内部形成流动电流，漏电位置的电子会发生迁移，形成电能向光能的转化，即电能以光能的方式释放，从而形成200nm~1700nm红外线。微光射显微镜主要利用红外线探测器，探测到这些释放出来的红外线，从而准确的定位件的漏电点。
对于元件的失效分析而言，微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。它主要用于侦测IC内部所放出光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination会放出光子(Photon)。举例说明：在P-N 结加偏压，此时N阱的电子很容易扩散到P阱，而P的空穴也容易扩散至N然后与P端的空穴（或N端的电子）做 EHP Recombination。 会产生亮点的缺点 - 漏电结（Junction Leakage）; 接触毛刺（Contact spiking）; （热电子效应）Hot electrons;闩锁效应（ Latch-Up）;氧化层漏电（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶须（Poly-silicon filaments）; 衬底损伤（Substrate damage）; （物理损伤）Mechanical damage等。原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。 不会出现亮点的故障 - 欧姆接触；金属互联短路；表面反型层；硅导电通路等。亮点被遮蔽之情况 - Buried Junctions及Leakage sites under metal，这种情况可以采用backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及抛光处理。
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