EVG ® 510 HE特征：
用于聚合物基材和旋涂聚合物的热压印应用
自动化压花工艺
EVG专有的**对准工艺，用于光学对准的压印和压印
完全由软件控制的流程执行
闭环冷却水供应选项
外部浮雕和冷却站
EVG ® 510 HE技术数据：
加热器尺寸：150毫米 ，200毫米
比较大基板尺寸：150毫米，200毫米
**小基板尺寸：单芯片，100毫米
比较大接触力：10、20、60 kN
比较高温度：标准：350°C；可选：550°C
夹盘系统/对准系统
150毫米加热器：EVG ® 610，EVG ® 620，EVG ® 6200
200毫米加热器：EVG ® 6200，MBA300，的Smart View ® NT
真空：
标准：0.1毫巴
可选：0.00001 mbar
EVG ® 520 HE是热压印系统。EVG7200LA纳米压印用于生物芯片
EVG ® 7200 LA大面积SmartNIL
® UV纳米压印光刻系统
用于大面积****的共形纳米压印光刻。
EVG7200大面积UV纳米压印系统使用EVG专有且经过量证明的SmartNIL技术，将纳米压印光刻（NIL）缩放为第三代（550 mm x 650 mm）面板尺寸的基板。对于不能减小尺寸的显示器，线栅偏振器，生物技术和光子元件等应用，至关重要的是通过增加图案面积来提高基板利用率。NIL已被证明是能够在大面积上制造纳米图案的**经济有效的方法，因为它不受光学系统的限制，并且可以为**小的结构提供比较好的图案保真度。
SmartNIL利用非常强大且可控的加工工艺，提供了低至40 nm *的出色保形压印结果。凭借独特且经过验证的设备功能（包括****的易用性）以及高水平的工艺专业知识，EVG通过将纳米压印提升到一个新的水平来满足行业需求。
*分辨率取决于过程和模板 图像传感器纳米压印质保期多久 NIL已被证明是能够在大面积上制造纳米图案的**经济、高 效的方法。
NIL已被证明是在大面积上实现纳米级图案的相当有成本效益的方法，因为它不受光学光刻所需的复杂光学器件的限制，并且它可以为极小尺寸（小于100分）提供比较好图案保真度nm）结构。
EVG的SmartNIL是基于紫外线曝光的全场压印技术，可提供功能强大的下一代光刻技术，几乎具有无限的结构尺寸和几何形状功能。由于SmartNIL集成了多次使用的软标记处理功能，因此还可以实现****的吞吐量，并具有显着的拥有成本优势，同时保留了可扩展性和易于维护的操作。另外，主模板的寿命延长到与用于光刻的掩模相当的时间。
新应用程序的开发通常与设备功能的提高紧密相关。
HERCULES ® NIL特征：
全自动UV-NIL压印和低力剥离
**多300毫米的基材
完全模块化的平台，具有多达八个可交换过程模块（压印和预处理）
200毫米/ 300毫米桥接工具能力
全区域烙印覆盖
批量生产**小40 nm或更小的结构
支持各种结构尺寸和形状，包括3D
适用于高地形（粗糙）表面
*分辨率取决于过程和模板
HERCULES ® NIL技术数据：
晶圆直径（基板尺寸）：100至200毫米/ 200和300毫米
解析度：≤40 nm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：SmartNIL ®
曝光源：大功率LED（i线）> 400 mW /cm²
对准：≤±3微米
自动分离：支持的
前处理：提供所有预处理模块
迷你环境和气候控制：可选的
工作印章制作：支持的
EVG的热压印是一种经济高 效且灵活的制造技术，具有非常高的复制精度，可用于**小50 nm的特征尺寸。
HERCULES ® NIL完全集成SmartNIL
®的 UV-NIL紫外光纳米压印系统。
EVG的HERCULES ® NIL产品系列
HERCULES ® NIL完全集成SmartNIL
® UV-NIL系统达200毫米
对于大批量制造的完全集成的纳米压印光刻解决方案，具有EVG's专有SmartNIL ®印迹技术
HERCULES NIL是完全集成的UV纳米压印光刻跟 踪解决方案，适用于比较大200 mm的晶圆，是EVG的NIL产品组合的***成员。HERCULES
NIL基于模块化平台，将EVG专有的SmartNIL压印技术与清洁，抗蚀剂涂层和烘烤预处理步骤相结合。这将HERCULES NIL变成了“一站式服务”，将裸露的晶圆装载到工具中，然后将经过完全处理的纳米结构晶圆退回。 EVG ® 770是分步重复纳米压印光刻系统，使用分步重复纳米压印光刻技术，可进行有效的母版制作。EVG7200纳米压印芯片堆叠应用
SmartNIL的主要技术是可以提供低至40 nm或更小的出色的共形烙印结果。EVG7200LA纳米压印用于生物芯片
具体说来就是，MOSFET能够有效地产生电流流动，因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平（硅中掺杂以带来或正或负的电荷），以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅（SiO2）衬底上，然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控，掺杂有时会泄到别的不需要的地方，那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域，并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手（包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等），开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。研究人员通过电子束光刻工艺在表面上形成定制形状和塑形，从而带来更加“物理可控”的生产过程。（来自网络。EVG7200LA纳米压印用于生物芯片
岱美仪器技术服务（上海）有限公司位于上海市，创立于2002-02-07。公司业务涵盖[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]等，价格合理，品质有保证。公司从事仪器仪表多年，有着创新的设计、强大的技术，还有一批**的专业化的队伍，确保为客户提供质量的产品及服务。截止当前，我公司年营业额度达到100-200万元，争取在一公分的领域里做出一公里的深度。
