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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG®501 晶圆键合机(系统)

■   研发和试生产的**/低

购置成本

■   真正的低强度晶圆楔形补偿系统,可实现**/高产量

■   强劲的压力和温度均匀性

■   自动键合和数据记录

■   高真空键合室

(使用真空涡轮增压泵,低至10-5

mbar)

■   开放式腔室设计,可实现快速转换和维护

■   Windows®操作软件和控制界面

■   **小占地面积的200 mm键合系统,只有 0.88 m2

EVG®510 晶圆键合机(系统)

■   拥有EVG®501键合机的所有功能

■   150和200mm晶圆的单腔系统

■   研发和试生产的**/佳购置成本

■   强劲的压力和温度均匀性

■   通过楔形补偿实现高产量

■   兼容EVG的HVM 键合系统

■   高产量,加速加热和优异的泵送能力 EVG500系列键合机拥有多种键合方法,包括阳极,热压缩,玻璃料,环氧树脂,UV和熔融键合。甘肃EVG805键合机

甘肃EVG805键合机,键合机

EVG ® 805解键合系统

用途:薄晶圆解键合

特色

技术数据

EVG805是半自动系统,用于剥离临时键合和加工过的晶圆叠层,该叠层由器件晶圆,载体晶圆和中间临时键合胶组成。该工具支持热剥离或机械剥离。可以将薄晶圆卸载到单个基板载体上,以在工具之间安全可靠地运输。


特征

开放式胶粘剂平台

解键合选项:

热滑解键合

解键合

机械解键合

程序控制系统

实时监控和记录所有相关过程参数

薄晶圆处理的独特功能

多种卡盘设计,可支撑**/大300 mm的晶圆/基板和载体

高形貌的晶圆处理

技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

晶片**/大300 mm

高达12英寸的薄膜

组态

1个解键合模块

选件

紫外线辅助解键合

高形貌的晶圆处理

不同基板尺寸的桥接能力 奥地利键合机高性价比选择根据键合机型号和加热器尺寸,EVG500系列键合机可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圆。

甘肃EVG805键合机,键合机

EVG ® 320自动化单晶圆清洗系统

用途:自动单晶片清洗系统,可有效去除颗粒


特色

技术数据

EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。除了使用去离子水冲洗外,配置选项还包括兆频,刷子和稀释的化学药品清洗。


特征

多达四个清洁站

全自动盒带间或FOUP到FOUP处理

可进行双面清洁的边缘处理(可选)

使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁

先进的远程诊断

防止从背面到正面的交叉污染

完全由软件控制的清洁过程

EVG ® 510键合机特征

独特的压力和温度均匀性

兼容EVG机械和光学对准器

灵活的设计和配置,用于研究和试生产

将单芯片形成晶圆

各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)

可选的涡轮泵(<1E-5 mbar)

可升级用于阳极键合

开室设计,易于转换和维护

生产兼容

高通量,具有快速加热和泵送规格

通过自动楔形补偿实现高产量

开室设计,可快速转换和维护

200 mm键合系统的**小占地面积:0.8

m 2

程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容


技术数据

**/大接触力

10、20、60 kN

加热器尺寸     150毫米   200毫米

**小基板尺寸      单芯片   100毫米

真空

标准:0.1毫巴


可选:1E-5 mbar


以上应用工艺也让MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)的生产迅速增长。

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EVG ® 810 LT

LowTemp™等离子激/活系统

适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统


特色

技术数据

EVG810  LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理(晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部)。


特征

表面等离子体活化,用于低温粘结(熔融/分子和中间层粘结)

晶圆键合机制中**快的动力学

无需湿工艺

低温退火(**/高400°C)下的**/高粘结强度

适用于SOI,MEMS,化合物半导体和高级基板键合

高度的材料兼容性(包括CMOS) 晶圆级涂层、封装,工程衬**造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底,如SOI(绝缘体上硅)。奥地利键合机高性价比选择

EVG键合机晶圆加工服务包含如下: ComBond® - 硅和化合物半导体的导电键合、等离子活化直接键合。甘肃EVG805键合机

EVG ® 850 LT

特征

利用EVG的LowTemp™等离子激/活技术进行SOI和直接晶圆键合

适用于各种熔融/分子晶圆键合应用

生产系统可在高通量,高产量环境中运行

盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP)

无污染的背面处理

超音速和/或刷子清洁

机械平整或缺口对准的预键合

先进的远程诊断


技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

100-200、150-300毫米

全自动盒带到盒带操作

预键合室

对准类型:平面到平面或凹口到凹口

对准精度:X和Y:±50 µm,θ:±0.1°

结合力:**/高5 N

键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活

真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件) 甘肃EVG805键合机

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