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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

EVG ® 101--先进的光刻胶处理系统

主要应用:研发和小规模生产中的单晶圆光刻胶加工


EVG101光刻胶处理系统在单腔设计中执行研发类型的工艺,与EVG的自动化系统完全兼容。EVG101光刻胶处理机支持**/大300 mm的晶圆,并可配置用于旋涂或喷涂以及显影应用。通过EVG先进的OmniSpray涂层技术,在互连技术的3D结构晶圆上获得了光致光刻胶或聚合物的保形层。这确保了珍贵的高粘度光刻胶或聚合物的材料消耗降低,同时提高了均匀性和光刻胶铺展选择。这**地节省了用户的成本。


EVG已经与研究机构合作超过35年,能够深入了解他们的独特需求。四川MEMS光刻机

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集成化光刻系统


HERCULES光刻量产轨道系统通过完全集成的生产系统和结合了掩模对准和曝光以及集成的预处理和后处理功能的高度自动化,完善了EVG光刻产品系列。HERCULES光刻轨道系统基于模块化平台,将EVG已建立的光学掩模对准技术与集成的清洁,光刻胶涂层,烘烤和光刻胶显影模块相结合。这使HERCULES平台变成了“一站式服务”,在这里将经过预处理的晶圆装载到工具中,然后返回完全结构化的经过处理的晶圆。目前可以预定的型号为:HERCULES。请访问官网获取更多的信息。


IQ Aligner光刻机美元报价EVG的掩模对准目标是适用于高达300 mm的不同的厚度,尺寸,形状的晶圆和基片。

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EVG101光刻胶处理系统的技术数据:

可用模块:旋涂/ OmniSpray ® /开发

分配选项:

各种光刻胶分配泵,可覆盖高达52000 cP的粘度;

液体底漆/预湿/洗盘;

去除边缘珠(EBR)/背面冲洗(BSR);

恒压分配系统/注射器分配系统。


智能过程控制和数据分析功能(框架软件平台)

用于过程和机器控制的集成分析功能

并行任务/排队任务处理功能,提高效率

设备和过程性能跟/踪功能:智能处理功能;事/故和警报分析/智能维护管理和跟/踪


晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米


EVG ® 150光刻胶处理系统分配选项:

各种光刻胶分配泵,可覆盖高达52000 cP的粘度

液体底漆/预湿/洗盘

去除边缘珠(EBR)/背面冲洗(BSR)

恒压分配系统/注射器分配系统

电阻分配泵具有流量监控功能

可编程分配速率/可编程体积/可编程回吸

超音波

附加模块选项

预对准:光学/机械

ID读取器:条形码,字母数字,数据矩阵


系统控制:

操作系统:Windows

文件共享和备份解决方案/无限制 程序和参数/离线程序编辑器

灵活的流程定义/易于拖放的程序编程

并行处理多个作业/实时远程访问,诊断和故障排除

多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR HERCULES的桥接工具系统可对多种尺寸的晶圆进行易碎,薄或翘曲的晶圆处理。

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EVG ® 610特征:

晶圆/基板尺寸从小到200 mm /8''

顶侧和底侧对准能力

高精度对准台

自动楔形补偿序列

电动和程序控制的曝光间隙

支持**/新的UV-LED技术

**小化系统占地面积和设施要求

分步流程指导

远程技术支持

多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)

便捷处理和转换重组

台式或带防震花岗岩台的单机版


EVG ® 610附加功能:

键对准

红外对准

纳米压印光刻(NIL)


EVG ® 610技术数据:

对准方式

上侧对准:≤±0.5 µm

底面要求:≤±2,0 µm

红外校准:≤±2,0 µm /具体取决于基板材料

键对准:≤±2,0 µm

NIL对准:≤±2,0 µm EVG光刻机**/新的曝光光学增强功能是对LED灯的设置。化合物半导体光刻机可以试用吗

EVG620 NT / EVG6200 NT可从手动到自动的基片处理,能够实现现场升级。四川MEMS光刻机

EVG®610 掩模对准系统

■   晶圆规格

:100 mm / 150 mm / 200 mm

■   顶/底部对准精度达到 ± 0.5 µm / ± 1.0 µm

■   用于双面对准高/分辨率顶部和底部分裂场显微镜

■   软件,硬件,真空和接近式曝光

■   自动楔形补偿

■   键合对准和NIL可选

■   支持**/新的UV-LED技术

EVG®620 NT / EVG®6200 NT

掩模对准系统(自动化和半自动化)

■   晶圆产品规格

:150 mm / 200 mm

■   接近式楔形错误补偿

■   多种规格晶圆转换时间少于5分钟

■   初次印刷高达180 wph / 自动对准模式为140 wph

■   可选**的抗震型花岗岩平台

■   动态对准实时补偿偏移

■   支持**/新的UV-LED技术 四川MEMS光刻机

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