EVG320技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
200、100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：30-60 W
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0 mm
材质：聚四氟乙烯
兆声区域传感器
可选的
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：**/大 2.5 W /cm²有效面积（**/大输出200 W）
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性
材质：不锈钢和蓝宝石
刷的参数
材质：PVA
可编程参数：刷子和晶圆速度（rpm）
可调参数（刷压缩，介质分配）
自动化晶圆处理系统
扫描区域兼容晶圆处理机器人领域 EVG320，使24小时自动化盒对盒或FOUP到FOUP操作，达到**/高吞吐量。与晶圆接触的表面不会引起任何金属离子污染。
可选功能
ISO 3 mini-environment（根据ISO 14644） EVG 晶圆键合机上的键合过程是怎么样的呢？云南SOI键合机
EVG ® 610 BA键对准系统
适用于学术界和工业研究的晶圆对晶圆对准的手动键对准系统
特色
技术数据
EVG610键合对准系统设计用于**/大200mm晶圆尺寸的晶圆间对准。EV Group的键合对准系统可通过底侧显微镜提供手动高精度对准平台。EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。
特征
**适合EVG ® 501和EVG ®
510键合系统
晶圆和基板尺寸**/大为150/200 mm
手动高精度对准台
手动底面显微镜
基于Windows 的用户界面
研发和试生产的**/佳总拥有成本（TCO） 云南SOI键合机EVG键合机跟应用相对应，键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。
Smart View ® NT自动键合对准系统，用于通用对准。
全自动键合对准系统，采用微米级面对面晶圆对准的专有方法进行通用对准
特色
技术数据
用于通用对准的Smart View NT自动键合对准系统提供了微米级面对面晶圆级对准的专有方法。这种对准技术对于在**技术的多个晶圆堆叠中达到所需的精度至关重要。Smart View技术可以与GEMINI晶圆键合系统结合使用，以在随后的全自动平台上进行永/久键合。
特征
适合于自动化和集成EVG键合系统（EVG560®，GEMINI ® 200和300mm配置）
用于3D互连，晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠
BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINI FB XT自动熔融系统一起出售，每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理，但GEMINI FB XT将支持要求更高对准精度的应用，例如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。
特征
在单个平台上的200 mm和300
mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用
通过等离子活化的直接晶圆键合，可实现不同材料，高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成
支持逻辑缩放，3D集成（例如M3），3D VLSI（包括背面电源分配），N＆P堆栈，内存逻辑，集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底
BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
200、300毫米
**/高 数量或过程模块
8
通量
每小时**多40个晶圆
处理系统
4个装载口
特征
多达八个预处理模块，例如清洁模块，LowTemp™等离子活化模块，对准验证模块和解键合模块
XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现**/高吞吐量
光学边缘对准模块：Xmax / Ymax = 18 µm 3σ EVG的GEMINI系列是自动化生产晶圆键合系统。
EVG ® 520 IS晶圆键合机系统
单腔或双腔晶圆键合系统，用于小批量生产
特色
技术数据
EVG520 IS单腔单元可半自动操作**/大200 mm的晶圆，适用于小批量生产应用。EVG520 IS根据客户反馈和EV Group的持续技术创新进行了重新设计，具有EV Group专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如**的顶侧和底侧加热器，高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势，为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。
特征
全自动处理，手动装卸，包括外部冷却站
兼容EVG机械和光学对准器
单室或双室自动化系统
全自动的键合工艺执行和键合盖移动
集成式冷却站可实现高产量
选项：
高真空能力（1E-6毫巴）
可编程质量流量控制器
集成冷却
技术数据
**/大接触力
10、20、60、100 kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准：1E-5 mbar
可选：1E-6 mbar
EVG键合机键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠，用来执行随后的键合过程。EVG510键合机服务为先
键合机晶圆对准键合是晶圆级涂层，晶圆级封装，工程衬**造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等应用很实用的技术。云南SOI键合机
EVG ® 501键合机特征
独特的压力和温度均匀性
兼容EVG机械和光学对准器
灵活的研究设计和配置
从单芯片到晶圆
各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）
可选的涡轮泵（<1E-5mbar）
可升级用于阳极键合
开室设计，易于转换和维护
兼容试生产，适合于学校、研究所等
开室设计，易于转换和维护
200 mm键合系统的**小占地面积：0.8
平方米
程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容
EVG ® 501键合机技术数据
**/大接触力为20kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准：0.1毫巴
可选：1E-5 mbar
云南SOI键合机
岱美仪器技术服务（上海）有限公司成立于2002-02-07 00:00:00，专业磁记录、半导体、光通讯生产及测试仪器的批发、进出口、佣金代理（拍卖除外）及其相关配套服务，国际贸易、转口贸易，商务信息咨询服务 等多项业务，主营业务涵盖[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]。公司目前拥有11~50人员工，为员工提供广阔的发展平台与成长空间，为客户提供高质高效的产品服务，深受员工与客户好评。公司以诚信为本，业务领域涵盖[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]，我们本着对客户负责，对员工负责，更是对公司发展负责的态度，争取做到让每位客户满意。目前公司已经成为[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]的**企业，正积蓄着更大的能量，向更广阔的空间、更***的领域拓展。
