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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

    Co mBond自动化的高真空晶圆键合系统,高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键合特色技术数据,EVGCo mBond高真空晶圆键合平台标志着EVG独特的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑,可满足市场对更复杂的集成工艺的需求Co mBond支持的应用领域包括先进的工程衬底,堆叠的太阳能电池和功率器件到**MEMS封装,高性能逻辑和“beyondCMOS”器件Co mBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台,可以针对研发和高通量,大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制Co mBond促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数(CTE)的异质材料的键合,并通过其独特的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成Co mBond高真空技术还可以实现铝等金属的低温键合,这些金属在周围环境中会迅速重新氧化。对于所有材料组合,都可以实现无空隙和无颗粒的键合界面以及出色的键合强度。 在不需重新配置硬件的情况下,EVG键合机可以在真空下执行SOI / SDB(硅的直接键合)预键合。广东键合机原理

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EVG ® 320自动化单晶圆清洗系统

用途:自动单晶片清洗系统,可有效去除颗粒


特色

技术数据

EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。除了使用去离子水冲洗外,配置选项还包括兆频,刷子和稀释的化学药品清洗。


特征

多达四个清洁站

全自动盒带间或FOUP到FOUP处理

可进行双面清洁的边缘处理(可选)

使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁

先进的远程诊断

防止从背面到正面的交叉污染

完全由软件控制的清洁过程 实际价格键合机用于生物芯片EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额,并且安装的机台已经超过1500套。

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EVG ® 620 BA键合机选件

自动对准

红外对准,用于内部基板键对准

NanoAlign ®包增强加工能力

可与系统机架一起使用

掩模对准器的升级可能性


技术数据

常规系统配置

桌面

系统机架:可选

隔振:被动

对准方法

背面对准:±2 µm 3σ

透明对准:±1 µm 3σ

红外校准:选件

对准阶段

精密千分尺:手动

可选:电动千分尺

楔形补偿:自动

基板/晶圆参数

尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米

厚度:0.1-10毫米

**/高堆叠高度:10毫米

自动对准

可选的

处理系统

标准:3个卡带站

可选:**多5个站

临时键合系统

临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程,这对于3D IC,功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板(例如化合物半导体)非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上,从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后,将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现,该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号:EVG805解键合系统;EVG820涂敷系统;EVG850TB临时键合系统;EVG850DB自动解键合系统。 自动键合系统EVG®540,拥有300 mm单腔键合室和多达4个自动处理键合卡盘。

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EVG ® 6200 BA自动键合对准系统

用于晶圆间对准的自动化键合对准系统,用于中等和批量生产


特色

技术数据

EVG键合对准系统提供了**/高的精度,灵活性和易用性,模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。


特征

适用于EVG所有的200 mm键合系统

支持**/大200 mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键合对准

手动或电动对中平台,带有自动对中选项

全电动高/分辨率底面显微镜

基于Windows的用户界面 EVG的GEMINI系列是顶/级大批量生产系统,同时结合了自动光学对准和键合操作功能。价格怎么样键合机三维芯片应用

晶圆键合机(系统)EVG®510 ,拥有150、200mm晶圆单腔系统 ;拥有EVG®501 键合机所有功能。广东键合机原理

EVG ® 850

特征

生产系统可在高通量,高产量环境中运行

自动盒带间或FOUP到FOUP操作

无污染的背面处理

超音速和/或刷子清洁

机械平整或缺口对准的预键合

先进的远程诊断


技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

100-200、150-300毫米

全自动盒带到盒带操作

预键合室

对准类型:平面到平面或凹口到凹口

对准精度:X和Y:±50 µm,θ:±0.1°

结合力:**/高5 N

键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活

真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件)


清洁站

清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选)

腔室:由PP或PFA制成(可选)

清洁介质:去离子水(标准),NH 4 OH和H 2 O 2(**/大)。2%浓度(可选)

旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成

旋转:**/高3000 rpm(5 s)

清洁臂:**多5条介质线(1个超音速系统使用2条线)


可选功能

ISO 3 mini-environment(根据ISO 14644)

LowTemp™等离子活化室


红外检查站


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