Co mBond自动化的高真空晶圆键合系统,高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键合特色技术数据,EVGCo mBond高真空晶圆键合平台标志着EVG独特的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑,可满足市场对更复杂的集成工艺的需求Co mBond支持的应用领域包括先进的工程衬底,堆叠的太阳能电池和功率器件到**MEMS封装,高性能逻辑和“beyondCMOS”器件Co mBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台,可以针对研发和高通量,大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制Co mBond促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数(CTE)的异质材料的键合,并通过其独特的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成Co mBond高真空技术还可以实现铝等金属的低温键合,这些金属在周围环境中会迅速重新氧化。对于所有材料组合,都可以实现无空隙和无颗粒的键合界面以及出色的键合强度。 在不需重新配置硬件的情况下,EVG键合机可以在真空下执行SOI / SDB(硅的直接键合)预键合。广东键合机原理
EVG ® 320自动化单晶圆清洗系统
用途:自动单晶片清洗系统,可有效去除颗粒
特色
技术数据
EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。除了使用去离子水冲洗外,配置选项还包括兆频,刷子和稀释的化学药品清洗。
特征
多达四个清洁站
全自动盒带间或FOUP到FOUP处理
可进行双面清洁的边缘处理(可选)
使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁
先进的远程诊断
防止从背面到正面的交叉污染
完全由软件控制的清洁过程 实际价格键合机用于生物芯片EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额,并且安装的机台已经超过1500套。
EVG ® 620 BA键合机选件
自动对准
红外对准,用于内部基板键对准
NanoAlign ®包增强加工能力
可与系统机架一起使用
掩模对准器的升级可能性
技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架:可选
隔振:被动
对准方法
背面对准:±2 µm 3σ
透明对准:±1 µm 3σ
红外校准:选件
对准阶段
精密千分尺:手动
可选:电动千分尺
楔形补偿:自动
基板/晶圆参数
尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米
厚度:0.1-10毫米
**/高堆叠高度:10毫米
自动对准
可选的
处理系统
标准:3个卡带站
可选:**多5个站
临时键合系统
临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程,这对于3D IC,功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板(例如化合物半导体)非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上,从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后,将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现,该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号:EVG805解键合系统;EVG820涂敷系统;EVG850TB临时键合系统;EVG850DB自动解键合系统。 自动键合系统EVG®540,拥有300 mm单腔键合室和多达4个自动处理键合卡盘。
EVG ® 6200 BA自动键合对准系统
用于晶圆间对准的自动化键合对准系统,用于中等和批量生产
特色
技术数据
EVG键合对准系统提供了**/高的精度,灵活性和易用性,模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。
特征
适用于EVG所有的200 mm键合系统
支持**/大200 mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键合对准
手动或电动对中平台,带有自动对中选项
全电动高/分辨率底面显微镜
基于Windows的用户界面 EVG的GEMINI系列是顶/级大批量生产系统,同时结合了自动光学对准和键合操作功能。价格怎么样键合机三维芯片应用
晶圆键合机(系统)EVG®510 ,拥有150、200mm晶圆单腔系统 ;拥有EVG®501 键合机所有功能。广东键合机原理
EVG ® 850
特征
生产系统可在高通量,高产量环境中运行
自动盒带间或FOUP到FOUP操作
无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对准的预键合
先进的远程诊断
技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预键合室
对准类型:平面到平面或凹口到凹口
对准精度:X和Y:±50 µm,θ:±0.1°
结合力:**/高5 N
键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活
真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件)
清洁站
清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选)
腔室:由PP或PFA制成(可选)
清洁介质:去离子水(标准),NH 4 OH和H 2 O 2(**/大)。2%浓度(可选)
旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成
旋转:**/高3000 rpm(5 s)
清洁臂:**多5条介质线(1个超音速系统使用2条线)
可选功能
ISO 3 mini-environment(根据ISO 14644)
LowTemp™等离子活化室
红外检查站
广东键合机原理
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