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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

临时键合系统

临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程,这对于3D IC,功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板(例如化合物半导体)非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上,从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后,将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现,该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号:EVG805解键合系统;EVG820涂敷系统;EVG850TB临时键合系统;EVG850DB自动解键合系统。 烘烤/冷却模块-适用于GEMINI用于在涂布后和键合之前加工粘合剂层。贵州键合机实际价格

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EVG ® 810 LT

LowTemp™等离子激/活系统

适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统


特色

技术数据

EVG810  LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理(晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部)。


特征

表面等离子体活化,用于低温粘结(熔融/分子和中间层粘结)

晶圆键合机制中**快的动力学

无需湿工艺

低温退火(**/高400°C)下的**/高粘结强度

适用于SOI,MEMS,化合物半导体和高级基板键合

高度的材料兼容性(包括CMOS) SOI键合机研发可以用吗EVG500系列键合机是基于独特模块化键合室设计,能够实现从研发到大批量生产的简单技术转换。

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EVG ® 510键合机特征

独特的压力和温度均匀性

兼容EVG机械和光学对准器

灵活的设计和配置,用于研究和试生产

将单芯片形成晶圆

各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)

可选的涡轮泵(<1E-5 mbar)

可升级用于阳极键合

开室设计,易于转换和维护

生产兼容

高通量,具有快速加热和泵送规格

通过自动楔形补偿实现高产量

开室设计,可快速转换和维护

200 mm键合系统的**小占地面积:0.8

m 2

程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容


技术数据

**/大接触力

10、20、60 kN

加热器尺寸     150毫米   200毫米

**小基板尺寸      单芯片   100毫米

真空

标准:0.1毫巴


可选:1E-5 mbar


EVG ® 301技术数据

晶圆直径(基板尺寸):200和100-300毫米

清洁系统

开室,旋转器和清洁臂

腔室:由PP或PFA制成(可选)

清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)

旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成

旋转:**/高3000 rpm(5秒内)

超音速喷嘴

频率:1 MHz(3 MHz选件)

输出功率:30-60 W

去离子水流量:**/高1.5升/分钟

有效清洁区域:Ø4.0 mm

材质:聚四氟乙烯


兆声区域传感器

频率:1 MHz(3 MHz选件)

输出功率:**/大 2.5 W /cm²有效面积(**/大输出200 W)

去离子水流量:**/高1.5升/分钟

有效的清洁区域:三角形,确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性

材质:不锈钢和蓝宝石


刷子

材质:PVA

可编程参数:刷子和晶圆速度(rpm)


可调参数(刷压缩,介质分配)


EVG键合机晶圆键合类型有:阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合。

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BONDSCALE™自动化生产熔融系统

启用3D集成以获得更多收益


特色

技术数据

EVG BONDSCALE™自动化生产熔融系统旨在满足广/泛的熔融/分子晶圆键合应用,包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法,例如单片3D(M3D)。借助BONDSCALE,EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中,并帮助解决内部设备和系统路线图(IRDS)中确定的“超摩尔”逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对准技术,与现有的熔融键合平台相比,BONDSCALE**提高了晶圆键合生产率,并降低了拥有成本(CoO)。 EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。浙江EVG620键合机

EVG键合机的键合室配有通用键合盖,可快速排空,快速加热和冷却。贵州键合机实际价格

EVG ® 6200键合机选件

自动对准

红外对准,用于内部基板键对准

NanoAlign ®包增强加工能力

可与系统机架一起使用

掩模对准器的升级可能性


技术数据

常规系统配置

桌面

系统机架:可选

隔振:被动

对准方法

背面对准:±2 µm 3σ

透明对准:±1 µm 3σ

红外校准:选件


对准阶段

精密千分尺:手动

可选:电动千分尺

楔形补偿:自动

基板/晶圆参数

尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米

厚度:0.1-10毫米

**/高堆叠高度:10毫米


自动对准

可选的

处理系统

标准:3个卡带站


可选:**多5个站


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岱美仪器技术服务(上海)有限公司创办于2002-02-07 00:00:00,是一家贸易型的公司。经过多年不断的历练探索和创新发展,公司是一家其他有限责任公司企业,以诚信务实的创业精神、质量高效的管理团队、精悍的职工队伍,努力为广大用户提供***的产品。公司目前拥有***员工11~50人人,具有[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]等多项业务。岱美中国以创造***产品及服务的理念,打造高指标的服务,引导行业的发展。

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