走线阻抗/耦合检查
走线阻抗/耦合检查流程在PowerSI和SPEED2000中都有,流程也是一样的。本例通过 Allegro Sigrity SI 启动 Trace Impedance/Coupling Check,自动调用 PowerSI 的流程。下面通过实例来介绍走线阻抗/耦合检查的方法。
启动 Allegro Sigrity SI,打开 DDR_Case_C。单击菜单 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在弹出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中单击 OK 按钮。整个.brd 文件将被转换成.spd文件,并自动在PowerSI软件界面中打开。 DDR3一致性测试是否包括高负载或长时间运行测试?河北DDR3测试USB测试

重复以上步骤,分别对Meml〜Mem4分配模型并建立总线时序关系,置完其中一个,单击0K按钮并在弹出窗口单击Copy按钮,将会同时更新其他Memory 模块。
3.分配互连模型有3种方法可设置互连部分的模型:第1种是将已有的SPICE电路模型或S参数模型分配给相应模块;第2种是根据叠层信息生成传输线模型;第3种是将互连模块与印制电路板或封装板关联,利用模型提取工具按需提取互连模型。对前两种方法大家比较熟悉,这里以第3种方法为例介绍其使用过程。 测试服务DDR3测试方案商是否可以通过重新插拔DDR3内存模块解决一致性问题?

DDR 规范的 DC 和 AC 特性
众所周知,对于任何一种接口规范的设计,首先要搞清楚系统中传输的是什么样的信号,也就是驱动器能发出什么样的信号,接收器能接受和判别什么样的信号,用术语讲,就是信号的DC和AC特性要求。
在DDR规范文件JEDEC79R的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中对DDR的DC有明确要求:VCC=+2.5v+0.2V,Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V.
在我们的实际设计中,除了要精确设计供电电源模块之外,还需要对整个电源系统进行PI仿真,而这是高速系统设计中另一个需要考虑的问题,在这里我们先不讨论它,暂时认为系统能够提供稳定的供电电源。
还可以给这个Bus设置一个容易区分的名字,例如把这个Byte改为ByteO,这样就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS与Clock的总线关系设置好了。
重复以上操作,依次创建:DQ8〜DQ15、DM1信号;DQS1/NDQS1选通和时钟 CK/NCK的第2个字节Bytel,包括DQ16〜DQ23、DM2信号;DQS2/NDQS2选通和时钟 CK/NCK的第3个字节Byte2,包括DQ24〜DQ31、DM3信号;DQS3/NDQS3选通和时钟 CK/NCK的第4个字节Byte3。
开始创建地址、命令和控制信号,以及时钟信号的时序关系。因为没有多个Rank, 所以本例将把地址命令信号和控制信号合并仿真分析。操作和步骤2大同小异,首先新建一 个Bus,在Signal Names下选中所有的地址、命令和控制信号,在Timing Ref下选中CK/NCK (注意,不要与一列的Clock混淆,Clock列只对应Strobe信号),在Bus Type下拉框中 选择AddCmd,在Edge Type下拉框中选择RiseEdge,将Bus Gro叩的名字改为AddCmdo。 如何监控DDR3内存模块的温度进行一致性测试?

那么在下面的仿真分析过程中,我们是不是可以就以这两个图中的时序要求作为衡量标准来进行系统设计呢?答案是否定的,因为虽然这个时序是规范中定义的标准,但是在系统实现中,我们所使用的是Micron的产品,而后面系统是否能够正常工作要取决干我们对Micron芯片的时序控制程度。所以虽然我们通过阅读DDR规范文件了解到基本设计要求,但是具体实现的参数指标要以Micron芯片的数据手册为准。换句话说,DDR的工业规范是芯片制造商Micron所依据的标准,而我们设计系统时,既然使用了Micron的产品,那么系统的性能指标分析就要以Micron的产品为准。所以,接下来的任务就是我们要在Micron的DDR芯片手册和作为控制器的FPGA数据手册中,找到类似的DDR规范的设计要求和具体的设计参数。DDR3一致性测试是否会提前寿命内存模块?上海信息化DDR3测试
如何解决DDR3一致性测试期间出现的错误?河北DDR3测试USB测试
· 工业规范标准,Specification:如果所设计的功能模块要实现某种工业标准接口或者协议,那一定要找到相关的工业规范标准,读懂规范之后,才能开始设计。
因此,为实现本设计实例中的 DDR 模块,需要的技术资料和文档。
由于我们要设计 DDR 存储模块,那么在所有的资料当中,应该较早了解 DDR 规范。通过对 DDR 规范文件「JEDEC79R」的阅读,我们了解到,设计一个 DDR 接口,需要满足规范中规定的 DC,AC 特性及信号时序特征。下面我们从设计规范要求和器件本身特性两个方面来解读,如何在设计中满足设计要求。 河北DDR3测试USB测试
有其特殊含义的,也是DDR体系结构的具体体现。而遗憾的是,在笔者接触过的很多高速电路设计人员中,很多人还不能够说清楚这两个图的含义。在数据写入(Write)时序图中,所有信号都是DDR控制器输出的,而DQS和DQ信号相差90°相位,因此DDR芯片才能够在DQS信号的控制下,对DQ和DM信号进行双沿采样:而在数据读出(Read)时序图中,所有信号是DDR芯片输出的,并且DQ和DQS信号是同步的,都是和时钟沿对齐的!这时候为了要实现对DQ信号的双沿采样,DDR控制器就需要自己去调整DQS和DQ信号之间的相位延时!!!这也就是DDR系统中比较难以实现的地方。DDR规范这样做的原因很简单,是要把逻辑设...