多端口矩阵测试DDR测试方案商

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除了DDR以外，近些年随着智能移动终端的发展，由DDR技术演变过来的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也发展很快。LPDDR主要针对功耗敏感的应用场景，相对于同一代技术的DDR来说会采用更低的工作电压，而更低的工作电压可以直接减少器件的功耗。比如LPDDR4的工作电压为1.1V,比标准的DDR4的1.2V工作电压要低一些，有些厂商还提出了更低功耗的内存技术，比如三星公司推出的LPDDR4x技术，更是把外部I/O的电压降到了0.6V。但是要注意的是，更低的工作电压对于电源纹波和串扰噪声会更敏感，其电路设计的挑战性更大。除了降低工作电压以外，LPDDR还会采用一些额外的技术来节省功耗，比如根据外界温度自动调整刷新频率(DRAM在低温下需要较少刷新)、部分阵列可以自刷新，以及一些对低功耗的支持。同时，LPDDR的芯片一般体积更小，因此占用的PCB空间更小。 DDR4信号质量测试 DDR4-DRAM的工作原理分析；多端口矩阵测试DDR测试方案商

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DDR4/5的协议测试除了信号质量测试以外，有些用户还会关心DDR总线上真实读/写的数据是否正确，以及总线上是否有协议的违规等，这时就需要进行相关的协议测试。DDR的总线宽度很宽，即使数据线只有16位，加上地址、时钟、控制信号等也有30多根线，更宽位数的总线甚至会用到上百根线。为了能够对这么多根线上的数据进行同时捕获并进行协议分析，适合的工具就是逻辑分析仪。DDR协议测试的基本方法是通过相应的探头把被测信号引到逻辑分析仪，在逻辑分析仪中运行解码软件进行协议验证和分析。 多端口矩阵测试DDR测试方案商DDR协议检查后生成的测试报告；

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DDR4/5与LPDDR4/5的信号质量测试由于基于DDR颗粒或DDRDIMM的系统需要适配不同的平台，应用场景千差万别，因此需要进行详尽的信号质量测试才能保证系统的可靠工作。对于DDR4及以下的标准来说，物理层一致性测试主要是发送的信号质量测试；对于DDR5标准来说，由于接收端出现了均衡器，所以还要包含接收测试。DDR信号质量的测试也是使用高带宽的示波器。对于DDR的信号，技术规范并没有给出DDR信号上升/下降时间的具体参数，因此用户只有根据使用芯片的实际快上升/下降时间来估算需要的示波器带宽。通常对于DDR3信号的测试，推荐的示波器和探头的带宽在8GHz;DDR4测试建议的测试系统带宽是12GHz;而DDR5测试则推荐使用16GHz以上带宽的示波器和探头系统。

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由于DDR4的数据速率会达到3.2GT/s以上，DDR5的数据速率更高，所以对逻辑分析仪的要求也很高，需要状态采样时钟支持1.6GHz以上且在双采样模式下支持3.2Gbps以上的数据速率。图5.22是基于高速逻辑分析仪的DDR4/5协议测试系统。图中是通过DIMM条的适配器夹具把上百路信号引到逻辑分析仪，相应的适配器要经过严格测试，确保在其标称的速率下不会因为信号质量问题对协议测试结果造成影响。目前的逻辑分析仪可以支持4Gbps以上信号的采集和分析。 DDR的信号测试和协议测试；

什麽是DDR内存？如何测试？

近几年来，CPU的速度呈指数倍增长。然而，计算机内存的速度增长确不尽人意。在1999年，大批量的PC133内存替代PC100。其间，英特尔公司推出Rambus内存作为PC工业的内存解决方案。在内存技术不断发展的时代，每一种新技术的出现，就意味着更宽的频带范围和更加优越的性能。内存峰值带宽定义为：内存总线宽度/8位X数据速率。该参数的提高会在实际使用过程中得到充分体现：3维游戏的速度更快，MP3音乐的播放更加柔和，MPEG视频运动图像质量更好。今年，一种新型内存：DDR内存面世了。对大多数人来说，DDR仍然是一个陌生的名词，然而，它确是数以百计前列内存和系统设计师3年来通力合作的结晶。DDR的出现预示着内存带宽和性能的提高，然而与Rambus内存相比更重要的一点是DDR的价格更低。 DDR3关于信号建立保持是的定义；多端口矩阵测试DDR测试方案商

DDR2总线上的信号波形；多端口矩阵测试DDR测试方案商

实际的电源完整性是相当复杂的，其中要考虑到IC的封装、仿真信号的切换频率和PCB耗电网络。对于PCB设计来说，目标阻抗的去耦设计是相对来说比较简单的，也是比较实际的解决方案。在DDR的设计上有三类电源，它们是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%，而其瞬间电流从Idd2到Idd7大小不同，详细在JEDEC里有叙述。通过电源层的平面电容和用的一定数量的去耦电容，可以做到电源完整性，其中去耦电容从10nF到10uF大小不同，共有10个左右。另外，表贴电容合适，它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加严格的容差性，但是它承载着比较小的电流。显然，它只需要很窄的走线，且通过一两个去耦电容就可以达到目标阻抗的要求。由于Vref相当重要，所以去耦电容的摆放尽量靠近器件的管脚。然而，对VTT的布线是具有相当大的挑战性，因为它不只要有严格的容差性，而且还有很大的瞬间电流，不过此电流的大小可以很容易的就计算出来。终，可以通过增加去耦电容来实现它的目标阻抗匹配。在4层板的PCB里，层之间的间距比较大，从而失去其电源层间的电容优势，所以，去耦电容的数量将增加，尤其是小于10nF的高频电容。详细的计算和仿真可以通过EDA工具来实现。多端口矩阵测试DDR测试方案商