陕西DDR3测试维修

走线阻抗/耦合检查

走线阻抗/耦合检查流程在PowerSI和SPEED2000中都有，流程也是一样的。本例通过 Allegro Sigrity SI 启动 Trace Impedance/Coupling Check,自动调用 PowerSI 的流程。下面通过实例来介绍走线阻抗/耦合检查的方法。

启动 Allegro Sigrity SI,打开 DDR_Case_C。单击菜单 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在弹出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中单击 OK 按钮。整个.brd 文件将被转换成.spd文件，并自动在PowerSI软件界面中打开。 是否可以使用多个软件工具来执行DDR3一致性测试？陕西DDR3测试维修

单击Impedance Plot (expanded),展开显示所有网络走线的阻抗彩图。双击彩图 上的任何线段，对应的走线会以之前定义的颜色在Layout窗口中高亮显示。

单击Impedance Table,可以详细查看各个网络每根走线详细的阻抗相关信息，内 容包括走线名称、走线长度百分比、走线阻抗、走线长度、走线距离发送端器件的距离、走 线延时，

单击Impedance Overlay in Layout,可以直接在Layout视图中查看走线的阻抗。在 Layer Selection窗口中单击层名称，可以切换到不同层查看走线阻抗视图。 陕西DDR3测试维修DDR3内存的一致性测试可以修复一致性问题吗？

单击View Topology按钮进入SigXplorer拓扑编辑环境，可以按前面161节反射 中的实验所学习的操作去编辑拓扑进行分析。也可以单击Waveforms..按钮去直接进行反射和 串扰的布线后仿真。

在提取出来的拓扑中，设置Controller的输出激励为Pulse,然后在菜单Analyze- Preferences..界面中设置Pulse频率等参数，

单击OK按钮退出参数设置窗口，单击工具栏中的Signal Simulate进行仿真分析，

在波形显示界面里，只打开器件U104 (近端颗粒)管脚上的差分波形进行查看, 可以看到，差分时钟波形边沿正常，有一些反射。

原始设计没有接终端的电阻端接。在电路拓扑中将终端匹配的上拉电阻电容等电路 删除，再次仿真，只打开器件U104 (近端颗粒)管脚上的差分波形进行查看，可以看到， 时钟信号完全不能工作。

· 相关器件的应用手册，ApplicationNote：在这个文档中，厂家一般会提出一些设计建议，甚至参考设计，有时该文档也会作为器件手册的一部分出现在器件手册文档中。但是在资料的搜集和准备中，要注意这些信息是否齐备。

· 参考设计，ReferenceDesign：对于比较复杂的器件，厂商一般会提供一些参考设计，以帮助使用者尽快实现解决方案。有些厂商甚至会直接提供原理图，用户可以根据自己的需求进行更改。

· IBIS 文件：这个对高速设计而言是必需的，获得的方法前面已经讲过。 DDR3一致性测试是否适用于特定应用程序和软件环境？

单击Next按钮，出现Setup Trace Check Wizard窗口，确保网络组的所有网络都被选中, 单击Finish按钮。

  单击Save File with Error Check保存文件，保存结束后，单击Start Simulation开始仿 真。仿真完成后，仿真结果包括Workflow中Results and Report的所有内容。如果在Setup Trace Check Parameters 的步骤 net selection 时选的是 check all signal nets 或者 check all enabled signal nets 模式，那么仿真结果只有 Net Impedance Summary 和 Net Co叩ling Summaryo

  单击Net Impedance Summary,出现阻抗总结表格，包括网络序号、网络名称、无参 考平面的走线数目、回流不连续的走线数目、过孔数目、比较大阻抗值、小阻抗值、主导阻 抗值、主导阻抗走线长度百分比、走线总长度、走线延时。 如何选择适用于DDR3一致性测试的工具？陕西DDR3测试维修

DDR3一致性测试是否包括高负载或长时间运行测试？陕西DDR3测试维修

DDR3（Double Data Rate 3）是一种常见的动态随机存取存储器（DRAM）标准，它定义了数据传输和操作时的时序要求。以下是DDR3规范中常见的时序要求：

初始时序（Initialization Timing）tRFC：内存行刷新周期，表示在关闭时需要等待多久才能开启并访问一个新的内存行。tRP/tRCD/tRA：行预充电时间、行开放时间和行访问时间，分别表示在执行读或写操作之前需要预充电的短时间、行打开后需要等待的短时间以及行访问的持续时间。tWR：写入恢复时间，表示每次写操作之间小需要等待的时间。数据传输时序（Data Transfer Timing）tDQSS：数据到期间延迟，表示内存控制器在发出命令后应该等待多长时间直到数据可用。tDQSCK：数据到时钟延迟，表示从数据到达内存控制器到时钟信号的延迟。tWTR/tRTW：不同内存模块之间传输数据所需的小时间，包括列之间的转换和行之间的转换。tCL：CAS延迟，即列访问延迟，表示从命令到读或写操作的有效数据出现之间的延迟。刷新时序（Refresh Timing）tRFC：内存行刷新周期，表示多少时间需要刷新一次内存行。 陕西DDR3测试维修