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半导体应变片:用于车辆等机械量测量的元件.半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件，又称半导体应变片。压阻效应是半导体晶体材料在某一方向受力产生变形时材料的电阻率发生变化的现象（见压阻式传感器）。半导体应变片需要粘贴在试件上测量试件应变或粘贴在弹性敏感元件上间接地感受被测外力。在测量软件WAVE的FFT图中，实时显示位移数据，可快速简便地进行频谱分析，以识别共振频率。上海激光干涉仪平台

“光伏效应”。指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。它首先是由光子（光波）转化为电子、光能量转化为电能量的过程；其次，是形成电压过程。有了电压，就像筑高了大坝，如果两者之间连通，就会形成电流的回路。光伏发电，其基本原理就是“光伏效应”。太阳能**的任务就是要完成制造电压的工作。因为要制造电压，所以完成光电转化的太阳能电池是阳光发电的关键。简单来说就是在光作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。基于该效应的器件有光电池和光敏二极管、三极管。山东激光干涉仪位移测量晶圆表面测量可以在各种各样的目标上进行测量。

用作高分辨率光谱仪。法布里-珀luogan涉仪等多光束干涉仪具有很尖锐的干涉极大，因而有极高的光谱分辨率，常用作光谱的精细结构和超精细结构分析。历史上的作用。19世纪的波动论者认为光波或电磁波必须在弹性介质中才得以传播，这种假想的弹性介质称为以太。人们做了一系列实验来验证以太的存在并探求其属性。以干涉原理为基础的实验极为精确，其中极有名的是菲佐实验和迈克耳孙-莫雷实验。1851年，A.H.L.菲佐用特别设计的干涉仪做了关于运动介质中的光速的实验，以验明运动介质是否曳引以太。1887年，A.A.迈克耳孙和E.W.莫雷合作利用迈克耳孙干涉仪试图检测地球相对juedui静止的以太的运动。对以太的研究为A.爱因斯坦的狭义相对论提供了佐证。      

被光束照射到的电子会吸收光子的能量，但是其中机制遵照的是一种非全有即全无的判据，光子所有能量都必须被吸收，用来克服逸出功，否则这能量会被释出。假若电子所吸收的能量能够克服逸出功，并且还有剩余能量，则这剩余能量会成为电子在被发射后的动能。逸出功W是从金属表面发射出一个光电子所需要的较小能量。如果转换到频率的角度来看，光子的频率必须大于金属特征的极限频率，才能给予电子足够的能量克服逸出功。逸出功与极限频率之间的关系为其中，h是普朗克常数，W是光频率为的光子的能量。克服逸出功之后，光电子的比较大动能为其中，hv是光频率为v的光子所带有并且被电子吸收的能量。实际物理要求动能必须是正值，因此，光频率必须大于或等于极限频率，光电效应才能发生。易于集成（只Ø1.2mm，重量只几克）！

外观检查规定1表盘上或外壳上至少应有下述标志符号：A.仪表名称或被测之量的标志符号；B.型号；C.系别符号；D.准确度等级；E.厂名或厂标；F.制造标准号；G.制造年月或出厂编号；H.电流种类或相数，三相仪表中测量机构的元件数量；I.正常工作位置；J.互感器的变比(指与互感器联用的仪表)；K.定值导线值(或符号)和分流器额定电压降值(对低量限电压表的要求)。2仪表的端钮和转换开关上应有用途标志；3从外表看，零部件完整，无松动，无裂缝，无明显残缺或污损。当倾斜或轻摇仪表时，内部无撞击声；4向左右两方向旋动机械调零器，指示器应转动灵活，左右对称；       在2000转/分时，电动机产生270Hz的振动，反过来 以345Hz放大系统谐振。白云区电子激光干涉仪

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穿心式电流互感器其本身结构不设一次绕组，载流（负荷电流）导线由L1至L2穿过由硅钢片擀卷制成的圆形（或其他形状）铁心起一次绕组作用。二次绕组直接均匀地缠绕在圆形铁心上，与仪表、继电器、变送器等电流线圈的二次负荷串联形成闭合回路，由于穿心式电流互感器不设一次绕组，其变比根据一次绕组穿过互感器铁心中的匝数确定，穿心匝数越多，变比越小；反之，穿心匝数越少，变比越大，额定电流比I1/n：式中I1——穿心一匝时一次额定电流；n——穿心匝数。 上海激光干涉仪平台