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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

光刻胶处理系统:EVG100系列光刻胶处理系统为光刻胶涂层和显影建立了质量和灵活性方面的新标准。EVG100系列的设计旨在提供蕞广范的工艺变革,其模块化功能可提供旋涂和喷涂,显影,烘烤和冷却模块,以满足个性化生产需求。这些系统可处理各种材料,例如正性和负性光刻胶,聚酰亚胺,薄光刻胶层的双面涂层,高粘度光刻胶和边缘保护涂层。这些系统可以处理多种尺寸的基板,直径从2寸到300mm,矩形,正方形甚至不规则形状的基板,而无需或只需很短的加工时间。HERCULES可以配置成处理弯曲,翘曲,变薄或非SEMI标准形状的晶片和基片。实验室光刻机有哪些应用

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EVG也提供量产型掩模对准系统。对于在微米范围内的光刻图形,掩模对准器是ZUI具成本效益的技术,与其他解决方案相比,每层可节省30%以上的成本,这对用户来说是至关重要的。EVG的大批量制造系统旨在以ZUI佳的成本效率与ZUI高的技术标准相结合,并由卓YUE的全球服务基础设施提供支持。ZUI重要的是,大焦深曝光光学系统完美匹配大批量生产中的厚抗蚀剂,表面形貌和非平面基片的图形。在全球范围内,我们为许多客户提供了量产型的光刻机系统,得到了他们的无数好评。上海光刻机摩擦学应用EVG在要求苛刻的应用中积累了多年的光刻胶旋涂和喷涂经验。

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EVG®150特征:晶圆尺寸可达300毫米多达6个过程模块可自定义的数量-多达20个烘烤/冷却/汽化堆多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载可用的模块包括旋转涂层,喷涂,NanoCoat™,显影,烘烤/冷却/蒸气/上等EV集团专有的OmniSpray®超声波雾化技术提供了无与伦BI的处理结果,当涉及到极端地形的保形涂层可选的NanoSpray™模块实现了300微米深图案的保形涂层,长宽比ZUI高为1:10,垂直侧壁广范的支持材料烘烤模块温度高达250°CMegasonic技术用于清洁,声波化学处理和显影,可提高处理效率并将处理时间从数小时缩短至数分钟

EVG6200NT附加功能:键对准红外对准纳米压印光刻(NIL)EVG6200NT技术数据:曝光源汞光源/紫外线LED光源先进的对准功能手动对准/原位对准验证自动对准动态对准/自动边缘对准对准偏移校正算法EVG6200NT产能:全自动:弟一批生产量:每小时180片全自动:吞吐量对准:每小时140片晶圆晶圆直径(基板尺寸):高达200毫米对准方式:上侧对准:≤±0.5µm底侧对准:≤±1,0µm红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准:≤±2,0µmNIL对准:≤±3.0µm曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿:全自动软件控制曝光选项:间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR实时远程访问,诊断和故障排除工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理纳米压印光刻技术:SmartNILEVG光刻机蕞新的曝光光学增强功能是对LED灯的设置。

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HERCULES光刻轨道系统技术数据:对准方式:上侧对准:≤±0.5µm;底侧对准:≤±1,0µm;红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基材先进的对准功能:手动对准;自动对准;动态对准。对准偏移校正:自动交叉校正/手动交叉校正;大间隙对准。工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理曝光源:汞光源/紫外线LED光源曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿:全自动软件控制;非接触式曝光选项:间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR实时远程访问,诊断和故障排除EVG101光刻胶处理机可支持蕞大300 mm的晶圆。上海光刻机摩擦学应用

EVG的CoverSpin TM旋转盖可降低光刻胶消耗,并提高光刻胶涂层的均匀性。实验室光刻机有哪些应用

G®105—晶圆烘烤模块设计理念:单机EVG®105烘烤模块是专为软或后曝光烘烤过程而设计。特点:可以在EVG105烘烤模块上执行软烘烤,曝光后烘烤和硬烘烤过程。受控的烘烤环境可确保均匀蒸发。可编程的接近销可提供对光刻胶硬化过程和温度曲线的ZUI佳控制。EVG105烘烤模块可以同时处理300mm的晶圆尺寸或4个100mm的晶圆。特征独力烘烤模块晶片尺寸ZUI大为300毫米,或同时ZUI多四个100毫米晶片温度均匀性≤±1°C@100°C,ZUI高250°C烘烤温度用于手动和安全地装载/卸载晶片的装载销烘烤定时器基材真空(直接接触烘烤)N2吹扫和近程烘烤0-1mm距离晶片至加热板可选不规则形状的基材技术数据晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米烤盘:温度范围:≤250°C手动将升降杆调整到所需的接近间隙。实验室光刻机有哪些应用

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