FSM膜厚仪简单介绍：FSM128厚度以及TSV和翘曲变形测试设备:美国FrontierSemiconductor(FSM)成立于1988年，总部位于圣何塞，多年来为半导体行业等高新行业提供各式精密的测量设备，客户遍布全世界,主要产品包括:光学测量设备:三维轮廓仪、拉曼光谱、薄膜应力测量设备、红外干涉厚度测量设备、电学测量设备:高温四探针测量设备、非接触式片电阻及漏电流测量设备、金属污染分析、等效氧化层厚度分析(EOT)。请访问我们的中文官网了解更多的信息。红外干涉测量技术，非接触式测量。半导体膜厚仪当地价格
厚度测量产品：我们的膜厚测量产品可适用于各种应用。我们大部分的产品皆備有库存以便快速交货。请浏览本公司网页产品资讯或联系我们的应用工程师针对您的厚度测量需求提供立即协助。单点厚度测量：一键搞定的薄膜厚度和折射率台式测量系统。测量1nm到13mm的单层薄膜或多层薄膜堆。大多数产品都有库存而且可立即出货。F20全世界销量蕞hao的薄膜测量系统。有各种不同附件和波长覆盖范围。微米(显微)级别光斑尺寸厚度测量当测量斑点只有1微米（µm）时，需要用您自己的显微镜或者用岱美提供的整个系统。导电膜膜厚仪可以试用吗F50测厚范围：20nm-70µm；波长：380-1050nm。
F10-AR无须处理涂层背面我们探头设计能抑制1.5mm厚基板98%的背面反射，使用更厚的镜头抑制的更多。就像我们所有的台式仪器一样，F10-AR需要连接到您装有Windows计算机的USB端口上并在数分钟内即可完成设定。包含的内容：集成光谱仪/光源装置FILMeasure8软件FILMeasure独力软件(用于远程数据分析)CP-1-1.3探头BK7参考材料整平滤波器(用于高反射基板)备用灯额外的好处：每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可马上提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划。
F20系列是世界上蕞**的台式薄膜厚度测量系统，只需按下一个按钮，不到一秒钟即可同时测量厚度和折射率。设置也非常简单,只需把设备连接到您运行Windows™系统的计算机USB端口,并连接样品平台就可以了。F20系列不同型号的选择，主要取决于您需要测量的薄膜厚度（确定所需的波长范围）。型号厚度范围*波长范围F2015nm-70µm380-1050nmF20-EXR15nm-250µm380-1700nmF20-NIR100nm-250µm950-1700nmF20-UV1nm-40µm190-1100nmF20-UVX1nm-250µm190-1700nmF20-XTµm-450µm1440-1690nm*取决于薄膜种类Filmetrics膜厚测试仪通过分析薄膜的反射光谱来测量薄膜的厚度，通过非可见光的测量，可以测量薄至1nm或厚至13mm的薄膜。测量结果可在几秒钟显示：薄膜厚度、颜色、折射率甚至是表面粗糙度。1.有五种不同波长选择(波长范围从紫外220nm至近红外1700nm)2.蕞大样品薄膜厚度的测量范围是：3nm～25um3.精度高于、氧化物、氮化物；、Polyimides；3.光电镀膜应用:硬化膜、抗反射膜、滤波片。1.光源有寿命，不用时请关闭2.光纤易损，不要弯折，不要频繁插拔3.精密仪器。测量方式: 红外干涉(非接触式)。
测量复杂的有机材料典型的有机发光显示膜包括几层： 空穴注入层，空穴传输层，以及重组/发光层。所有这些层都有不寻常有机分子（小分子和/或聚合物）。虽然有机分子高度反常色散，测量这些物质的光谱反射充满挑战，但对Filmetrics却不尽然。我们的材料数据库覆盖整个OLED的开发历史，能够处理随着有机分子而来的高折射散射和多种紫外光谱特征。软基底上的薄膜有机发光显示器具有真正柔性显示的潜力，要求测量像PET（聚乙烯）塑料这样有高双折射的基准，这对托偏仪测量是个严重的挑战： 或者模拟额外的复杂光学，或者打磨PET背面。 而这些对我们非偏振反射光谱来说都不需要，极大地节约了人员培训和测量时间。操作箱中测量有机发光显示器材料对水和氧极度敏感。 很多科研小组都要求在控制的干燥氮气操作箱中测量。 而我们体积小，模块化，光纤设计的仪器提供非密封、实时“操作箱”测量。膜厚仪是一种用于测量薄膜或涂层的厚度的仪器.液晶显示膜厚仪国内用户
F30测厚范围：15nm-70µm；波长：380-1050nm。半导体膜厚仪当地价格
电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – ZUI简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0)， 而且非常接近化学计量 (就是说，硅：氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范，通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难，因为硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是，氧常常渗入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大测量难度。 但是幸运的是，我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!半导体膜厚仪当地价格
