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  • MEMS光刻机化合物半导体应用,光刻机
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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

IQAligner®自动化掩模对准系统特色:EVG®IQ定位仪®平台用于自动非接触近距离处理而优化的用于晶片尺寸高达200毫米。技术数据:IQAligner是具有高度自动化程度的非接触式接近光刻平台,可满足将生产线中的掩模污染降至蕞低并增加掩模寿命和产品良率的需求。除了多种对准功能外,该系统还通过专门配置进行了广范的安装和现场验证,可自动处理和处理翘曲或变薄的晶圆。标准的顶侧或底侧对准与集成的IR对准功能之间的混合匹配操作进一步拓宽了应用领域,尤其是在与工程或粘合基板对准时。该系统还通过快速响应的温度控制工具集支持晶片对准跳动控制。EVG在1985年发明了世界上弟一个底部对准系统,对准晶圆键合和纳米压印光刻技术方面开创并建立了行业标准。MEMS光刻机化合物半导体应用

MEMS光刻机化合物半导体应用,光刻机

EVG®610曝光源:汞光源/紫外线LED光源;楔形补偿全自动软件控制;晶圆直径(基板尺寸)高达100/150/200毫米;曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式;曝光选项:间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光;先进的对准功能:手动对准/原位对准验证手动交叉校正大间隙对准;EVG®610光刻机系统控制:操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR实时远程访问,诊断和故障排除使用的纳米压印光刻技术为“无紫外线”。MEMS光刻机化合物半导体应用EVG已经与研究机构合作超过35年,可以深入了解他们的独特需求。

MEMS光刻机化合物半导体应用,光刻机

EVG®120--光刻胶自动化处理系统EVG

®120是用于当洁净室空间有限,需要生产一种紧凑的,节省成本光刻胶处理系统。

新型EVG120通用和全自动光刻胶处理工具能够处理各种形状和尺寸达200mm/8“的基板。新一代EVG120采用全新的超紧凑设计,并带有新开发的化学柜,可用于外部存储化学品,同时提供更高的通量能力,针对大批量客户需求进行了优化,并准备在大批量生产(HVM)中使用EVG120为用户提供了一套详尽的好处,这是其他任何工具所无法比拟的,并保证了ZUI高的质量各个应用领域的标准,拥有成本却非常低。

EVG®150特征:晶圆尺寸可达300毫米多达6个过程模块可自定义的数量-多达20个烘烤/冷却/汽化堆多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载可用的模块包括旋转涂层,喷涂,NanoCoat™,显影,烘烤/冷却/蒸气/上等EV集团专有的OmniSpray®超声波雾化技术提供了无与伦BI的处理结果,当涉及到极端地形的保形涂层可选的NanoSpray™模块实现了300微米深图案的保形涂层,长宽比ZUI高为1:10,垂直侧壁广范的支持材料烘烤模块温度高达250°CMegasonic技术用于清洁,声波化学处理和显影,可提高处理效率并将处理时间从数小时缩短至数分钟光刻机利用光学原理将光线聚焦在光刻胶上,通过光刻胶的曝光和显影过程,将芯片设计图案转移到硅片上。

MEMS光刻机化合物半导体应用,光刻机

光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统(EVG6xx和IQAligner系列)以及高度集成的涂层平台(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装:在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口;在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂;负侧壁,带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间;用于LIGA结构的高纵横比结构,用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果;西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上,展示了高分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力;MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。可以在EVG105烘烤模块上执行软烘烤、曝光后烘烤和硬烘烤操作。研究所光刻机试用

EVG所有光刻设备平台均为300mm。MEMS光刻机化合物半导体应用

IQAligner®NT技术数据:产能:全自动:手次生产量印刷:每小时200片全自动:吞吐量对准:每小时160片晶圆工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,晶圆边缘处理智能过程控制和数据分析功能(框架SW平台)用于过程和机器控制的集成分析功能并行任务/排队任务处理功能设备和过程性能根踪功能智能处理功能事/故和警报分析/智能维护管理和根踪晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米对准方式:顶部对准:≤±0,25µm底侧对准:≤±0.5µm红外对准:≤±2,0µm/取决于基材MEMS光刻机化合物半导体应用

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