江苏激光干涉仪仪器

薄膜型半导体应变片

这种应变片是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上或蓝宝石上制成的。它通过改变真空沉积时衬底的温度来控制沉积层电阻率的高低，从而控制电阻温度系数和灵敏度系数。因而能制造出适于不同试件材料的温度自补偿薄膜应变片。薄膜型半导体应变片吸收了金属应变片和半导体应变片的优点，并避免了它的缺点，是一种较理想的应变片。

外延型半导体应变片

这种应变片是在多晶硅或蓝宝石的衬底上外延一层单晶硅而制成的。它的优点是取消了P-N结隔离，使工作温度大为提高(可达300℃以上)。 使其可以测量长达40米的距离。江苏激光干涉仪仪器

(3)非接触测头以及各种扫描探针显微镜。航空航天行业对此已经提出迫切要求，这是今后坐标测量机发展的关键技术。目前接触式测头已完全被国外所垄断，非接触测头还没有发展成熟，我们有参与竞争的机遇。以前较多采用的激光三角法原理受到很多限制，难以有突破性进展，但可在原理创新上下功夫。应该突破0.1～0.5μm分辨率。

(5)新器件，新材料。过去，科研评价体系存在偏重于整机和系统，忽视材料和器件的趋向。新的突破点可能出现在新光源、新型高频探测器。目前探测器的响应频率只有10的9次方，而光频高达10的14次方，目前干涉仪实际上是起着混频器的作用，适应探测器的不足(如果探测器的响应果真能超过光频，干涉仪也就没有用了)。如果探测器的性能得到显著提高，对于通讯也是很大的突破。 山东非接触激光干涉仪2000转/分时的总振动高于150纳米，可能导致电机 故障。

外观检查规定

1 表盘上或外壳上至少应有下述标志符号：A.仪表名称或被测之量的标志符号；B.型号；C.系别符号；D.准确度等级；E.厂名或厂标；F.制造标准号；G.制造年月或出厂编号；H.电流种类或相数，三相仪表中测量机构的元件数量；I.正常工作位置；J.互感器的变比(指与互感器联用的仪表)；K.定值导线值(或符号)和分流器额定电压降值(对低量限电压表的要求)。

2 仪表的端钮和转换开关上应有用途标志；

3 从外表看，零部件完整，无松动，无裂缝，无明显残缺或污损。当倾斜或轻摇仪表时，内部无撞击声；

4 向左右两方向旋动机械调零器，指示器应转动灵活，左右对称；

阻尼时间

1 热电系、热线系及静电系仪表，吊丝式仪表和指针长度大于150MM 的仪表，其可动部分的阻尼时间应不超过6S。其余的仪表应不超过4S。当被测量突然改变时，仪表指示器的前列次偏转值与稳定后的偏转值之比应不大于1.5。凡外电路电阻有规定范围时，当电阻在这个范围内变动时，其阻尼时间均应满足要求。

2 测定仪表指示器的阻尼时间时，应遵守规定。测定阻尼时间时，应自被测之量开始改变(或放回指示器)时起，至指示器离结尾静止位置不大于标度尺长度1%时止。在测定阻尼时间的同时，读取指示器前列次偏转值与稳定后的偏转值，然后求出其比值。测定阻尼时间的具体规定如下：A.单向标度尺仪表——自接入被测量至指示器偏转至标度尺几何中心附近时测定；B.双向对称标度尺仪表——自断开相当于标度尺最大值的被测量时测定；C.双向非对称标度尺仪表——自断开或接通相当于标度尺全长一半的被测量时测定；D.比率表和无机械零位标度尺仪表——自改变被测量使指示器由始点移至标度尺几何中心附近时测定。也允许接入约相当于标度尺几何中心的被测量，再将指示器用机械方法移至标度尺的始点或终点，然后放回指示器的方法测定。测定阻尼时间时应测三次，取其平均值。 检测电机的轴承误差。

扩散型半导体应变片

这种应变片是将 P型杂质扩散到一个高电阻N型硅基底上，形成一层极薄的P型导电层，然后用超声波或热压焊法焊接引线而制成（图2）。它的优点是稳定性好，机械滞后和蠕变小，电阻温度系数也比一般体型半导体应变片小一个数量级。缺点是由于存在P-N结，当温度升高时，绝缘电阻大为下降。半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。新型固态压阻式传感器中的敏感元件硅梁和硅杯等就是用扩散法制成的。 工业位移传感器（IDS）。韶关非接触激光干涉仪

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