浦东新区激光干涉仪位移

半导体应变片:用于车辆等机械量测量的元件.半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件，又称半导体应变片。压阻效应是半导体晶体材料在某一方向受力产生变形时材料的电阻率发生变化的现象（见压阻式传感器）。半导体应变片需要粘贴在试件上测量试件应变或粘贴在弹性敏感元件上间接地感受被测外力。为展示IDS3010在测量短距离和长距离位移方面的优势。浦东新区激光干涉仪位移

干涉仪维护：1、仪器应妥善地放在干燥、清洁的房间内，防止振动，仪器搬动时，应托住底座，以防导轨变形。2、光学零件不用时，应存放在清洁的干燥盆内，以防止发霉。反光镜、分光镜一般不允许擦拭，必要擦拭时，须先用备件毛刷小心掸去灰尘，再用脱脂清洁棉花球滴上酒精和yi mi混合液轻拭。3、传动部件应有良好的润滑。特别是导轨、丝杆、螺母与轴孔部分，应用T5精密仪表油润滑。4、使用时，各调整部位用力要适当，不要强旋、硬扳。5、导轨面丝杆应防止划伤、锈蚀，用毕后，仍保持不失油状态。6、经过精密调整的仪器部件上的螺丝，都涂有红漆，不要擅自转动。东莞激光干涉仪位移当干扰信号不敏感时，调制信号的幅度对位移敏感。

高精度。目前半导体工艺的典型线宽为0.25μm，并正向0.18μm过渡，2009年的预测线宽是0.07μm。如果定位要求占线宽的1/3，那么就要求10nm量级的精度，而且晶片尺寸还在增大，达到300mm。这就意味着测量定位系统的精度要优于3×10的-8次方，相应的激光稳频精度应该是10的-9次方数量级。

高速度。目前加工机械的速度已经提高到1m/sec以上，上世纪80年代以前开发研制的仪器已不适应市场的需求。例如惠普公司的干涉仪市场大部分被英国Renishaw所占领，其原因是后者的速度达到了1m/sec。

干涉仪技术参数：5D/6D标准型：1.线性：0.5ppm.2.测量范围：40米（1D可选80米）3.线性分辨力：0.001um.4.偏摆角和俯仰角的精度：（1.0+0.1/m）角秒或1%显示较大值5.比较大范围：800角秒6.滚动角精度：1.0角秒7.直线度精度：（1.0+0.2/m）um或1%显示较大值8.直线度比较大范围：500um9.垂直度精度：1角秒10.温度精度：0.2摄氏度11.湿度精度：5%12.压力精度：1mmHg

从激光器发出的光束，经扩束准直后由分光镜分为两路，并分别从固定反射镜和可动反射镜反射回来会合在分光镜上而产生干涉条纹。 工业位移传感器（IDS）。

利用不同构形的弹性敏感元件可测量各种物体的应力、应变、压力、扭矩、加速度等机械量。半导体应变片与电阻应变片(见电阻应变片相比，具有灵敏系数高（约高 50～100倍）、机械滞后小、体积小、耗电少等优点。P型和N型硅的灵敏系数符号相反，适于接成电桥的相邻两臂测量同一应力。早期的半导体应变片采用机械加工、化学腐蚀等方法制成，称为体型半导体应变片。它的缺点是电阻和灵敏系数的温度系数大、非线性大和分散性大等。这曾限制了它的应用和发展。自70年代以来，随着半导体集成电路工艺的迅速发展，相继出现扩散型、外延型和薄膜型半导体应变片，上述缺点得到一定克服。半导体应变片主要应用于飞机、导弹、车辆、船舶、机床、桥梁等各种设备的机械量测量。但IDS3010干涉仪可诊断非接触式pm位移@ 10 MHz 安装的高功率激光反射镜。白云区光电激光干涉仪

IDS与各种目标和目标材料兼容。浦东新区激光干涉仪位移

互感器分为电压互感器和电流互感器两大类。电压互感器可在高压和超高压的电力系统中用于电压和功率的测量等。电流互感器可用在交换电流的测量、交换电度的测量和电力拖动线路中的保护。

电压互感器

按用途分

测量用电压互感器或电压互感器的测量绕组：在正常电压范围内，向测量、计量装置提供电网电压信息；保护用电压互感器或电压互感器的保护绕组：在电网故障状态下，向继电保护等装置提供电网故障电压信息。

按绝缘介质分

干式电压互感器：由普通绝缘材料浸渍绝缘漆作为绝缘，多用在及以下低电压等级；浇注绝缘电压互感器：由环氧树脂或其他树脂混合材料浇注成型，多用在及以下电压等级；油浸式电压互感器：由绝缘纸和绝缘油作为绝缘，是我国较为常见的结构型式，常用于及以下电压等级；气体绝缘电压互感器：由气体作主绝缘，多用在较高电压等级。通常只提供测量用的低电压互感器是干式，高压或超高压密封式气体绝缘(如六氟化硫)互感器也是干式。浇注式适用于35kV及以下的电压互感器，35kV以上的产品均为油浸式。 浦东新区激光干涉仪位移