纳米精度激光干涉仪共焦技术

被光束照射到的电子会吸收光子的能量，但是其中机制遵照的是一种非全有即全无的判据，光子所有能量都必须被吸收，用来克服逸出功，否则这能量会被释出。假若电子所吸收的能量能够克服逸出功，并且还有剩余能量，则这剩余能量会成为电子在被发射后的动能。逸出功 W 是从金属表面发射出一个光电子所需要的较小能量。如果转换到频率的角度来看，光子的频率必须大于金属特征的极限频率，才能给予电子足够的能量克服逸出功。逸出功与极限频率之间的关系为其中，h是普朗克常数， W是光频率为的光子的能量。克服逸出功之后，光电子的比较大动能  为其中，hv 是光频率为 v的光子所带有并且被电子吸收的能量。实际物理要求动能必须是正值，因此，光频率必须大于或等于极限频率，光电效应才能发生。当干扰信号不敏感时，调制信号的幅度对位移敏感。纳米精度激光干涉仪共焦技术

5 指针不应弯曲，与标度盘表面间的距离要适当。对装有反射镜式读数装置的仪表应不大于(0.02L+1)MM；其余仪表应不大于(0.01L+1)MM。指针与标度尺在同一水平面上的仪表，其指针前列与标度尺边缘的间隙应不超过(0.01L+0.8)MM。其中L 是标度尺长度，MM。刀形和丝形指针的前列至少应盖住标度尺上较短分度线的1/2，矛形指针可为1/2～3/4；

6 检查有无封印，外壳密封是否良好。

三相仪表应在对称电压和平衡负载的条件下检验。三相系统中每一个线电压或相电压以及电流与系统中相应量的平均值之差均不应大于1%。各个相电流与对应相电压的相位差之间的差值不大于2°。 3D激光干涉仪彩色共焦技术样品和细胞的扩张/收缩 长度相对变化（ΔL）。

半导体应变片:用于车辆等机械量测量的元件.半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件，又称半导体应变片。压阻效应是半导体晶体材料在某一方向受力产生变形时材料的电阻率发生变化的现象（见压阻式传感器）。半导体应变片需要粘贴在试件上测量试件应变或粘贴在弹性敏感元件上间接地感受被测外力。

结构原理：普通电流互感器结构原理：电流互感器的结构较为简单，由相互绝缘的一次绕组、二次绕组、铁心以及构架、壳体、接线端子等组成。其工作原理与变压器基本相同，一次绕组的匝数（N1）较少，直接串联于电源线路中，一次负荷电流(I1)通过一次绕组时，产生的交变磁通感应产生按比例减小的二次电流（I2）；二次绕组的匝数（N2）较多，与仪表、继电器、变送器等电流线圈的二次负荷（Z）串联形成闭合回路，由于一次绕组与二次绕组有相等的安培匝数，I1N1=I2N2，电流互感器额定电流比电流互感器实际运行中负荷阻抗很小，二次绕组接近于短路状态，相当于一个短路运行的变压器。使其可以测量长达40米的距离。

高灵敏，高分辨，小型化。如将光谱仪集成到一块电路板上。

标准化。通讯接口过去常用GPIB，RS232，目前有可能成为替代物的高性能标准是USB、IEEE1394和VXI。现在，技术前面者设法控制技术标准，参与标准制订是仪器开发的基础研究工作之一。

配合数控设备的技术创新(如主轴速度，精度创成)

数控设备的主要误差来源可分为几何误差（共有21项）和热误差。对于重复出现的系统误差，可采用软件修正；对于随机误差较大的情况，要采用实时修正方法。对于热误差，一般要通过温度测量进行修正。 易于集成（只Ø1.2mm，重量只几克）。3D激光干涉仪彩色共焦技术

在环境条件下悬臂的共振频率，不施加压电致动器的任何振荡。纳米精度激光干涉仪共焦技术

激光干涉仪，以激光波长为已知长度，利用迈克耳逊干涉系统测量位移的通用长度测量。激光具有高的强度、高度方向性、空间同调性、窄带宽和高度单色性等优点。目前常用来测量长度的干涉仪，主要是以迈克尔逊干涉仪为主，并以稳频氦氖激光为光源，构成一个具有干涉作用的测量系统。激光干涉仪可配合各种折射镜、反射镜等来作线性位置、速度、角度、真平度、真直度、平行度和垂直度等测量工作，并可作为精密工具机或测量仪器的校正工作。英文名称：laser interferometer纳米精度激光干涉仪共焦技术