在光电效应中,要释放光电子显然需要有足够的能量。根据经典电磁理论,光是电磁波,电磁波的能量决定于它的强度,即只与电磁波的振幅有关,而与电磁波的频率无关。而实验规律中的较早、第二两点显然用经典理论无法解释。第三条也不能解释,因为根据经典理论,对很弱的光要想使电子获得足够的能量逸出,必须有一个能量积累的过程而不可能瞬时产生光电子。光电效应里,电子的射出方向不是完全定向的,只是大部分都垂直于金属表面射出,与光照方向无关,光是电磁波,但是光是高频震荡的正交电磁场,振幅很小,不会对电子射出方向产生影响。所有这些实际上已经曝露出了经典理论的缺陷,要想解释光电效应必须突破经典理论其工作接近技术和物理的极限。江西激光干涉仪位移测量
不同变比电流互感器。这种型号的电流互感器具有同一个铁心和一次绕组,而二次绕组则分为两个匝数不同、各自独自的绕组,以满足同一负荷电流情况下不同变比、不同准确度等级的需要,例如在同一负荷情况下,为了保证电能计量准确,要求变比较小一些(以满足负荷电流在一次额定值的2/3左右),准确度等级高一些(如1K1.1K2为200/5.0.2级);而用电设备的继电保护,考虑到故障电流的保护系数较大,则要求变比较大一些,准确度等级可以稍低一点(如2K1.2K2为300/5.1级)。测量激光干涉仪金线检测晶圆表面测量可以在各种各样的目标上进行测量。
(6)半导体激光器计量特性的研究和创新。半导体激光器用于计量需要解决很多问题(如线宽、定标、变频等)。但如果解决了诸多问题以后,半导体激光系统比气体激光系统更复杂,就不会有竞争力。有些问题在物理层面上也没有完全解决。例如半导体激光器如果能形成双频,无疑是一种十分重要的特性,如果既能扫频又有两个相近的频率扫描,就会成为一种新的无导轨测量工具。本专业培养具备精密仪器设计制造以及测量与控制方面基础知识与应用能力,能在国民经济各部门从事测量与控制领域内有关技术、仪器与系统的设计制造、科技开发、应用研究、运行管理等方面的高级工程技术人才。
体型半导体应变片这种半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线,结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。体型半导体应变片可分为6种。①普通型:它适合于一般应力测量;②温度自动补偿型:它能使温度引起的导致应变电阻变化的各种因素自动抵消,只适用于特定的试件材料;③灵敏度补偿型:通过选择适当的衬底材料(例如不锈钢),并采用稳流电路,使温度引起的灵敏度变化极小;④高输出(高电阻)型:它的阻值很高(2~10千欧),可接成电桥以高电压供电而获得高输出电压,因而可不经放大而直接接入指示仪表。⑤超线性型:它在比较宽的应力范围内,呈现较宽的应变线性区域,适用于大应变范围的场合;⑥P-N组合温度补偿型:它选用配对的P型和N型两种转换元件作为电桥的相邻两臂,从而使温度特性和非线性特性有较大改善。非接触式检测轴承误差。
利用不同构形的弹性敏感元件可测量各种物体的应力、应变、压力、扭矩、加速度等机械量。半导体应变片与电阻应变片(见电阻应变片相比,具有灵敏系数高(约高 50~100倍)、机械滞后小、体积小、耗电少等优点。P型和N型硅的灵敏系数符号相反,适于接成电桥的相邻两臂测量同一应力。早期的半导体应变片采用机械加工、化学腐蚀等方法制成,称为体型半导体应变片。它的缺点是电阻和灵敏系数的温度系数大、非线性大和分散性大等。这曾限制了它的应用和发展。自70年代以来,随着半导体集成电路工艺的迅速发展,相继出现扩散型、外延型和薄膜型半导体应变片,上述缺点得到一定克服。半导体应变片主要应用于飞机、导弹、车辆、船舶、机床、桥梁等各种设备的机械量测量。创建了一个 CMM演示器,用于显示由IDS3010执行的CMM中的位置检测。广州高精度激光干涉仪
电机振动的非接触频率分析。江西激光干涉仪位移测量
干涉仪技术参数:5D/6D标准型:1.线性:0.5ppm.2.测量范围:40米(1D可选80米)3.线性分辨力:0.001um.4.偏摆角和俯仰角的精度:(1.0+0.1/m)角秒或1%显示较大值5.比较大范围:800角秒6.滚动角精度:1.0角秒7.直线度精度:(1.0+0.2/m)um或1%显示较大值8.直线度比较大范围:500um9.垂直度精度:1角秒10.温度精度:0.2摄氏度11.湿度精度:5%12.压力精度:1mmHg
从激光器发出的光束,经扩束准直后由分光镜分为两路,并分别从固定反射镜和可动反射镜反射回来会合在分光镜上而产生干涉条纹。 江西激光干涉仪位移测量