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膜厚仪基本参数
  • 产地
  • 美国
  • 品牌
  • Frontier Semiconductor (FSM)
  • 型号
  • FSM 413EC, FSM 413MOT,FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM
  • 是否定制
膜厚仪企业商机

显微镜转接器F40系列转接器。Adapter-BX-Cmount该转接器将F40接到OlympusBX或MX上而不必使用Olympus价格较贵的c-mount转接器。MA-Cmount-F20KIT该转接器将F20连接到显微镜上(模仿F40,光敏度低5倍),包括集成摄像机、光纤、TS-Focus-SiO2-4-10000厚度标准、F40软件,和F40手册。软件升级:UPG-RT-to-Thickness升级的厚度求解软件,需要UPG-Spec-to-RT。UPG-Thickness-to-n&k升级的折射率求解软件,需要UPG-RT-to-Thickness。UPG-F10-AR-HC为F10-AR升级的FFT硬涂层厚度测量软件。包括TS-Hardcoat-4um厚度标准。厚度测量范围0.25um-15um。UPG-RT-to-Color&Regions升级的色彩与光谱区域分析软件,需要UPG-Spec-to-RT。产品名称:红外干涉厚度测量设备。光刻胶膜厚仪应用

光刻胶膜厚仪应用,膜厚仪

非晶态多晶硅硅元素以非晶和晶体两种形式存在,在两级之间是部分结晶硅。部分结晶硅又被叫做多晶硅。非晶硅和多晶硅的光学常数(n和k)对不同沉积条件是独特的,必须有精确的厚度测量。测量厚度时还必须考虑粗糙度和硅薄膜结晶可能的风化。Filmetrics设备提供的复杂的测量程序同时测量和输出每个要求的硅薄膜参数,并且“一键”出结果。测量范例多晶硅被广范用于以硅为基础的电子设备中。这些设备的效率取决于薄膜的光学和结构特性。随着沉积和退火条件的改变,这些特性随之改变,所以准确地测量这些参数非常重要。监控晶圆硅基底和多晶硅之间,加入二氧化硅层,以增加光学对比,其薄膜厚度和光学特性均可测得。F20可以很容易地测量多晶硅薄膜的厚度和光学常数,以及二氧化硅夹层厚度。Bruggeman光学模型被用来测量多晶硅薄膜光学特性。半导体薄膜膜厚仪技术服务一般较短波长 (例如, F50-UV) 可用于测量较薄的薄膜,而较长波长可以测量更厚、更不平整和更不透明的薄膜。

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Filmetrics 的技术Filmetrics 提供了范围广范的测量生物医疗涂层的方案:支架: 支架上很小的涂层区域通常需要显微镜类的仪器。 我们的 F40 在几十个实验室内得到使用,测量钝化和/或药 物输送涂层。我们有独特的测量系统对整個支架表面的自動厚度测绘,只需在测量时旋轉支架。植入件: 在测量植入器件的涂层时,不规则的表面形状通常是为一挑战。 Filmetrics 提供这一用途的全系列探头。导丝和导引针: 和支架一样,这些器械常常可以用象 F40 这样的显微镜仪器。导液管和血管成型球囊的厚度:大于 100 微米的厚度和可见光谱不透明性决定了 F20-NIR 是这一用途方面全世界众多实验室内很受欢迎的仪器。

接触探头测量弯曲和难测的表面CP-1-1.3测量平面或球形样品,结实耐用的不锈钢单线圈。CP-1-AR-1.3可以抑制背面反射,对1.5mm厚的基板可抑制96%。钢制单线圈外加PVC涂层,蕞大可测厚度15um。CP-2-1.3用于探入更小的凹表面,直径17.5mm。CP-C6-1.3探测直径小至6mm的圆柱形和球形样品外侧。CP-C12-1.3用于直径小至12mm圆柱形和球形样品外侧。CP-C26-1.3用于直径小至26mm圆柱形和球形样品外侧。CP-BendingRod-L350-2弯曲长度300mm,总长度350mm的接触探头。用于难以到达的区域,但不会自动对准表面。CP-ID-0to90Deg-2用于食品和饮料罐头内壁的接触探头。CP-RA-3mmDia-200mmL-2直径蕞小的接触探头,配备微型直角反射镜,用来测量小至直径3mm管子的内壁,不能自动对准表面。CP-RA-10mmHigh-2配备微型直角反射镜,可以在相隔10mm的两个平坦表面之间进行测量。采用Michaelson干涉方法,红外波段的激光能更好的穿透被测物体,准确得到测试结果。

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集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量,另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米,同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度可选粗糙度: 20 — 1000Å (RMS)。半导体薄膜膜厚仪技术服务

测量方式: 红外干涉(非接触式)。光刻胶膜厚仪应用

技术介绍:红外干涉测量技术,非接触式测量。采用Michaelson干涉方法,红外波段的激光能更好的穿透被测物体,准确的得到测试结果。产品简介:FSM413EC红外干涉测量设备适用于所有可让红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度硅片厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...光刻胶膜厚仪应用

岱美仪器技术服务(上海)有限公司坐落在金高路2216弄35号6幢306-308室,是一家专业的磁记录、半导体、光通讯生产及测试仪器的批发、进出口、佣金代理(拍卖除外)及其相关配套服务,国际贸易、转口贸易,商务信息咨询服务 公司。公司目前拥有专业的技术员工,为员工提供广阔的发展平台与成长空间,为客户提供高质的产品服务,深受员工与客户好评。公司业务范围主要包括:半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪等。公司奉行顾客至上、质量为本的经营宗旨,深受客户好评。一直以来公司坚持以客户为中心、半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪市场为导向,重信誉,保质量,想客户之所想,急用户之所急,全力以赴满足客户的一切需要。

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