广东3D激光干涉仪

(6)半导体激光器计量特性的研究和创新。半导体激光器用于计量需要解决很多问题(如线宽、定标、变频等)。但如果解决了诸多问题以后，半导体激光系统比气体激光系统更复杂，就不会有竞争力。有些问题在物理层面上也没有完全解决。例如半导体激光器如果能形成双频，无疑是一种十分重要的特性，如果既能扫频又有两个相近的频率扫描，就会成为一种新的无导轨测量工具。本专业培养具备精密仪器设计制造以及测量与控制方面基础知识与应用能力，能在国民经济各部门从事测量与控制领域内有关技术、仪器与系统的设计制造、科技开发、应用研究、运行管理等方面的高级工程技术人才。传感器头适用于极端环境：  低温和高温（比较高450°C），UHV兼容性，  强辐射（高达10MGy）和高磁场。广东3D激光干涉仪

薄膜型半导体应变片

这种应变片是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上或蓝宝石上制成的。它通过改变真空沉积时衬底的温度来控制沉积层电阻率的高低，从而控制电阻温度系数和灵敏度系数。因而能制造出适于不同试件材料的温度自补偿薄膜应变片。薄膜型半导体应变片吸收了金属应变片和半导体应变片的优点，并避免了它的缺点，是一种较理想的应变片。

外延型半导体应变片

这种应变片是在多晶硅或蓝宝石的衬底上外延一层单晶硅而制成的。它的优点是取消了P-N结隔离，使工作温度大为提高(可达300℃以上)。 福建激光干涉仪色散共焦以太网Web界面（工业4.0）。

阻尼时间

1 热电系、热线系及静电系仪表，吊丝式仪表和指针长度大于150MM 的仪表，其可动部分的阻尼时间应不超过6S。其余的仪表应不超过4S。当被测量突然改变时，仪表指示器的前列次偏转值与稳定后的偏转值之比应不大于1.5。凡外电路电阻有规定范围时，当电阻在这个范围内变动时，其阻尼时间均应满足要求。

2 测定仪表指示器的阻尼时间时，应遵守规定。测定阻尼时间时，应自被测之量开始改变(或放回指示器)时起，至指示器离结尾静止位置不大于标度尺长度1%时止。在测定阻尼时间的同时，读取指示器前列次偏转值与稳定后的偏转值，然后求出其比值。测定阻尼时间的具体规定如下：A.单向标度尺仪表——自接入被测量至指示器偏转至标度尺几何中心附近时测定；B.双向对称标度尺仪表——自断开相当于标度尺最大值的被测量时测定；C.双向非对称标度尺仪表——自断开或接通相当于标度尺全长一半的被测量时测定；D.比率表和无机械零位标度尺仪表——自改变被测量使指示器由始点移至标度尺几何中心附近时测定。也允许接入约相当于标度尺几何中心的被测量，再将指示器用机械方法移至标度尺的始点或终点，然后放回指示器的方法测定。测定阻尼时间时应测三次，取其平均值。

测控技术与仪器优先领域

在基础研究的初期，对于能否有突破性进展是很难预测的。但是，当已经取得突破性进展时，则需要有一个转化机制以进入市场。

（1）纳米溯源技术和系统。

(2)介入安装和制造的坐标跟踪测量系统。

关键理论和技术：超半球反射器(n=2或在机构上创新)，快速、多路干涉仪(频差3～5兆)，二维精密跟踪测角系统(0.2″～0.5″)，通用信号处理系统(工作频率5兆)，无导轨半导体激光测量系统(分辨率1μm)，热变形仿真，力变形仿真。 轴的直径为10毫米，以每分钟2160转（RPM）旋转。

体型半导体应变片这种半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。体型半导体应变片可分为6种。①普通型：它适合于一般应力测量；②温度自动补偿型：它能使温度引起的导致应变电阻变化的各种因素自动抵消，只适用于特定的试件材料；③灵敏度补偿型：通过选择适当的衬底材料（例如不锈钢），并采用稳流电路，使温度引起的灵敏度变化极小；④高输出（高电阻）型：它的阻值很高（2～10千欧）,可接成电桥以高电压供电而获得高输出电压，因而可不经放大而直接接入指示仪表。⑤超线性型：它在比较宽的应力范围内，呈现较宽的应变线性区域，适用于大应变范围的场合；⑥P-N组合温度补偿型：它选用配对的P型和N型两种转换元件作为电桥的相邻两臂，从而使温度特性和非线性特性有较大改善。用AquadB数据输出测量。浙江激光干涉仪表面粗糙度

IDS与各种目标和目标材料兼容。广东3D激光干涉仪

多抽头电流互感器。这种型号的电流互感器，一次绕组不变，在绕制二次绕组时，增加几个抽头，以获得多个不同变比。它具有一个铁心和一个匝数固定的一次绕组，其二次绕组用绝缘铜线绕在套装于铁心上的绝缘筒上，将不同变比的二次绕组抽头引出，接在接线端子座上，每个抽头设置各自的接线端子，这样就形成了多个变比，此种电流互感器的优点是可以根据负荷电流变比，调换二次接线端子的接线来改变变比，而不需要更换电流互感器，给使用提供了方便。广东3D激光干涉仪