企业商机
激光干涉仪基本参数
  • 品牌
  • OPILB
  • 型号
  • ILBMG
  • 类型
  • 激光干涉仪,白光干涉仪
激光干涉仪企业商机

1、一次线圈串联在电路中,并且匝数很少,因此,一次线圈中的电流完全取决于被测电路的负荷电流.而与二次电流无关;2、电流互感器二次线圈所接仪表和继电器的电流线圈阻抗都很小,所以正常情况下,电流互感器在近于短路状态下运行。电流互感器一、二次额定电流之比,称为电流互感器的额定互感比:kn=I1n/I2n因为一次线圈额定电流I1n己标准化,二次线圈额定电流I2n统一为5(1或0.5)安,所以电流互感器额定互感比亦已标准化。kn还可以近似地表示为互感器一、二次线圈的匝数比,即kn≈kN=N1/N2式中N1.N2为一、二线圈的匝数。IDS3010的分辨率,比低重量加速器,高一个数量级。纳米精度激光干涉仪运动平台

利用不同构形的弹性敏感元件可测量各种物体的应力、应变、压力、扭矩、加速度等机械量。半导体应变片与电阻应变片(见电阻应变片相比,具有灵敏系数高(约高 50~100倍)、机械滞后小、体积小、耗电少等优点。P型和N型硅的灵敏系数符号相反,适于接成电桥的相邻两臂测量同一应力。早期的半导体应变片采用机械加工、化学腐蚀等方法制成,称为体型半导体应变片。它的缺点是电阻和灵敏系数的温度系数大、非线性大和分散性大等。这曾限制了它的应用和发展。自70年代以来,随着半导体集成电路工艺的迅速发展,相继出现扩散型、外延型和薄膜型半导体应变片,上述缺点得到一定克服。半导体应变片主要应用于飞机、导弹、车辆、船舶、机床、桥梁等各种设备的机械量测量。高精度激光干涉仪厚度测量超长距离测量,齿轮传动间隙测量。

内光电效应:

当光照在物体上,使物体的电导率发生变化,或产生光生电动势的现象。分为光电导效应和光生伏特别的效果应(光伏效应)。

1 光电导效应在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态,而引起材料电导率的变化。当光照射到光电导体上时,若这个光电导体为本征半导体材料,且光辐射能量又足够强,光电材料价带上的电子将被激发到导带上去,使光导体的电导率变大。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。

2 光生伏特别的效果应“光生伏特别的效果应”,简称“光伏效应”。

干涉仪主要特点

1.同时测量线性定位误差、直线度误差(双轴)、偏摆角、俯仰角和滚动角2.设计用于安装在机床主轴上的5D/6D传感器3.可选的无线遥控传感器极长的控制距离可到25米4.可测量速度、加速度、振动等参数,并评估机床动态特性5.全套系统重量只15公斤,设计紧凑、体积小,测量机床时不需三角架6.集成干涉镜与激光器于一体,简化了调整步骤,减少了调整时间7、激光干涉仪可以同时测量线性定位误差、直线度误差(双轴)、偏摆角、俯仰角和滚动角等,以及测量速度、加速度、振动等参数,并评估机床动态特性等。8、激光干涉仪的光源——激光,具有gao qiang度、高度方向性、空间同调性、窄带宽和高度单色性等优点。9、激光干涉仪可配合各种折射镜、反射镜等来使用。 但IDS3010干涉仪可诊断非接触式pm位移@ 10 MHz 安装的高功率激光反射镜。

薄膜型半导体应变片

这种应变片是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上或蓝宝石上制成的。它通过改变真空沉积时衬底的温度来控制沉积层电阻率的高低,从而控制电阻温度系数和灵敏度系数。因而能制造出适于不同试件材料的温度自补偿薄膜应变片。薄膜型半导体应变片吸收了金属应变片和半导体应变片的优点,并避免了它的缺点,是一种较理想的应变片。

外延型半导体应变片

这种应变片是在多晶硅或蓝宝石的衬底上外延一层单晶硅而制成的。它的优点是取消了P-N结隔离,使工作温度大为提高(可达300℃以上)。 使用BiSS-C接口触发八个轴的位置检测。段差激光干涉仪形貌测量

提供: 反射器表面误差,s(Φ)。 XY-跳动运动误差,εX(Φ)和εy(Φ)。纳米精度激光干涉仪运动平台

5 指针不应弯曲,与标度盘表面间的距离要适当。对装有反射镜式读数装置的仪表应不大于(0.02L+1)MM;其余仪表应不大于(0.01L+1)MM。指针与标度尺在同一水平面上的仪表,其指针前列与标度尺边缘的间隙应不超过(0.01L+0.8)MM。其中L 是标度尺长度,MM。刀形和丝形指针的前列至少应盖住标度尺上较短分度线的1/2,矛形指针可为1/2~3/4;

6 检查有无封印,外壳密封是否良好。

三相仪表应在对称电压和平衡负载的条件下检验。三相系统中每一个线电压或相电压以及电流与系统中相应量的平均值之差均不应大于1%。各个相电流与对应相电压的相位差之间的差值不大于2°。 纳米精度激光干涉仪运动平台

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