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膜厚仪基本参数
  • 产地
  • 美国
  • 品牌
  • Frontier Semiconductor (FSM)
  • 型号
  • FSM 413EC, FSM 413MOT,FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM
  • 是否定制
膜厚仪企业商机

F54自动化薄膜测绘FilmetricsF54系列的产品能以一个电动R-Theta平台自动移动到选定的测量点以每秒测绘两个点的速度快速的测绘薄膜厚度,样品直径达450毫米可选择数十种内建之同心圆,矩形,或线性图案模式,或自行建立无数量限制之测量点.瑾需具备基本电脑技能的任何人可在数分钟内自行建立配方F54自动化薄膜测绘只需联结设备到您运行Windows™系统计算机的USB端口,可在几分钟轻松设置不同的型号主要是由厚度和波长范围作为区别。通常较薄的膜需要较短波长作测量(如F54-UV)用来测量较薄的膜,而较长的波长可以用来测量更厚,更粗糙,或更不透明的薄膜产品型号:FSM 413EC, FSM 413MOT,FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM 8108 VITE C2C。美国膜厚仪服务为先

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不管您参与对显示器的基础研究还是制造,Filmetrics都能够提供您所需要的...测量液晶层-聚酰亚胺、硬涂层、液晶、间隙测量有机发光二极管层-发光、电注入、缓冲垫、封装对于空白样品,我们建议使用F20系列仪器。对于图案片,Filmetrics的F40用于测量薄膜厚度已经找到了显示器应用广范使用。测量范例此案例中,我们成功地测量了蓝宝石和硼硅玻璃基底上铟锡氧化物薄膜厚度。与Filmetrics专有的ITO扩散模型结合的F10-RTA-EXR仪器,可以很容易地在380纳米到1700纳米内同时测量透射率和反射率以确定厚度,折射率,消光系数。由于ITO薄膜在各种基底上不同寻常的的扩散,这个扩展的波长范围是必要的。导电膜膜厚仪要多少钱采用Michaelson干涉方法,红外波段的激光能更好的穿透被测物体,准确得到测试结果。

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F3-sX系列:F3-sX系列能测量半导体与介电层薄膜厚度到3毫米,而这种较厚的薄膜与较薄的薄膜相比往往粗糙且均匀度较为不佳波长选配F3-sX系列使用近红外光来测量薄膜厚度,即使有许多肉眼看来不透光(例如半导体)。F3-s980是波长为980奈米的版本,是为了针对成本敏锐的应用而设计,F3-s1310是针对重掺杂硅片的蕞jia化设计,F3-s1550则是为了蕞厚的薄膜设计。附件附件包含自动化测绘平台,一个影像镜头可看到量测点的位置以及可选配可见光波长的功能使厚度测量能力蕞薄至15奈米。

技术介绍:红外干涉测量技术,非接触式测量。采用Michaelson干涉方法,红外波段的激光能更好的穿透被测物体,准确的得到测试结果。产品简介:FSM413EC红外干涉测量设备适用于所有可让红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度硅片厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...F40-EXR范围:20nm-120µm;波长:400-1700nm。

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显微镜转接器F40系列转接器。Adapter-BX-Cmount该转接器将F40接到OlympusBX或MX上而不必使用Olympus价格较贵的c-mount转接器。MA-Cmount-F20KIT该转接器将F20连接到显微镜上(模仿F40,光敏度低5倍),包括集成摄像机、光纤、TS-Focus-SiO2-4-10000厚度标准、F40软件,和F40手册。软件升级:UPG-RT-to-Thickness升级的厚度求解软件,需要UPG-Spec-to-RT。UPG-Thickness-to-n&k升级的折射率求解软件,需要UPG-RT-to-Thickness。UPG-F10-AR-HC为F10-AR升级的FFT硬涂层厚度测量软件。包括TS-Hardcoat-4um厚度标准。厚度测量范围0.25um-15um。UPG-RT-to-Color&Regions升级的色彩与光谱区域分析软件,需要UPG-Spec-to-RT。基板材料: 如果薄膜位于粗糙基板 (大多数金属) 上的话,一般不能测量薄膜的折射率。官方授权膜厚仪生产国

测量SU-8 其它厚光刻胶的厚度有特别重要的应用。美国膜厚仪服务为先

FSM8018VITE测试系列设备VITE技术介绍:VITE是傅里叶频域技术,利用近红外光源的相位剪切技术(Phasesheartechnology)设备介绍适用于所有可让近红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...美国膜厚仪服务为先

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