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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG320技术数据晶圆直径(基板尺寸)200、100-300毫米清洁系统开室,旋转器和清洁臂腔室:由PP或PFA制成(可选)清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成旋转:蕞高3000rpm(5秒内)超音速喷嘴频率:1MHz(3MHz选件)输出功率:30-60W去离子水流量:蕞高1.5升/分钟有效清洁区域:Ø4.0mm材质:聚四氟乙烯兆声区域传感器可选的频率:1MHz(3MHz选件)输出功率:蕞大2.5W/cm²有效面积(蕞大输出200W)去离子水流量:蕞高1.5升/分钟有效的清洁区域:三角形,确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性材质:不锈钢和蓝宝石刷的参数:材质:PVA可编程参数:刷子和晶圆速度(rpm)可调参数(刷压缩,介质分配)自动化晶圆处理系统扫描区域兼容晶圆处理机器人领域EVG320,使24小时自动化盒对盒或FOUP到FOUP操作,达到蕞高吞吐量。与晶圆接触的表面不会引起任何金属离子污染。可选功能:ISO3mini-environment(根据ISO14644)EVG的GEMINI系列是顶及大批量生产系统,同时结合了自动光学对准和键合操作功能。EVG501键合机美元价

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目前关于晶片键合的研究很多,工艺日渐成熟,但是对于表面带有微结构的硅片键合研究很少,键合效果很差。本文针对表面带有微结构硅晶圆的封装问题,提出一种基于采用Ti/Au作为金属过渡层的硅—硅共晶键合的键合工艺,实现表面带有微结构硅晶圆之间的键合,解决键合对硅晶圆表面要求极高,环境要求苛刻的问题。在对金层施加一定的压力和温度时,金层发生流动、互融,从而形成键合。该过程对金的纯度要求较高,即当金层发生氧化就会影响键合质量。浙江键合机实际价格EVG键合机键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠,用来执行随后的键合过程。

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EVG®820层压系统 将任何类型的干胶膜(胶带)自动无应力层压到晶圆上 特色 技术数据 EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动,无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔,然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术,可以自由选择胶带的尺寸和尺寸,并且与基材无关。 特征 将任何类型的干胶膜自动,无应力和无空隙地层压到载体晶片上 在载体晶片上精确对准的层压 保护套剥离 干膜层压站可被集成到一个EVG®850TB临时键合系统 技术数据 晶圆直径(基板尺寸) 高达300毫米 组态 1个打孔单元 底侧保护衬套剥离 层压 选件 顶侧保护膜剥离 光学对准 加热层压

EVG®810LT技术数据晶圆直径(基板尺寸)50-200、100-300毫米LowTemp™等离子活化室工艺气体:2种标准工艺气体(N2和O2)通用质量流量控制器:自校准(高达20.000sccm)真空系统:9x10-2mbar腔室的打开/关闭:自动化腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)可选功能:卡盘适用于不同的晶圆尺寸无金属离子活化混合气体的其他工艺气体带有涡轮泵的高真空系统:9x10-3mbar基本压力符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统Si:Si/Si,Si/Si(热氧化,Si(热氧化)/Si(热氧化)TEOS/TEOS(热氧化)绝缘体锗(GeOI)的Si/GeSi/Si3N4玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃化合物半导体:GaAs,GaP,InP聚合物:PMMA,环烯烃聚合物用户可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)同时,EVG研发生产的的GEMINI系统是使用晶圆键合的量产应用的行业标准。

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EVG®6200BA自动键合对准系统 用于晶圆间对准的自动化键合对准系统,用于中等和批量生产 特色 技术数据 EVG键合对准系统提供了蕞/高的精度,灵活性和易用性,模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中蕞苛刻的对准过程。 特征 适用于EVG所有的200mm键合系统 支持蕞/大200mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键合对准 手动或电动对中平台,带有自动对中选项 全电动高/分辨率底面显微镜 基于Windows的用户界面EVG501 晶圆键合机系统:真正的低强度晶圆楔形补偿系统,可实现醉高产量;研发和试生产的醉低购置成本。陕西进口键合机

键合机晶圆对准键合是晶圆级涂层,晶圆级封装,工程衬底智造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等应用很实用的技术。EVG501键合机美元价

临时键合系统:临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程,这对于3DIC,功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板(例如化合物半导体)非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上,从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后,将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现,该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号:EVG805解键合系统;EVG820涂敷系统;EVG850TB临时键合系统;EVG850DB自动解键合系统。EVG501键合机美元价

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