晶圆级封装的实现可以带来许多经济利益。它允许晶圆制造,封装和测试的集成,从而简化制造过程。缩短的制造周期时间可提高生产量并降低每单位制造成本。晶圆级封装还可以减小封装尺寸,从而节省材料并进一步降低生产成本。然而,更重要的是,减小的封装尺寸允许组件用于更广范的高级产品中。晶圆级封装的主要市场驱动因素之一是需要更小的组件尺寸,尤其是减小封装高度。岱美仪器提供的EVG的晶圆键合机,可以实现晶圆级封装的功能。EVG服务:高真空对准键合、集体D2W键合、临时键合和热、混合键合、机械或者激光剖离、黏合剂键合。广西绝缘体上的硅键合机
EVG®301技术数据晶圆直径(基板尺寸):200和100-300毫米清洁系统开室,旋转器和清洁臂腔室:由PP或PFA制成(可选)清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成旋转:蕞高3000rpm(5秒内)超音速喷嘴频率:1MHz(3MHz选件)输出功率:30-60W去离子水流量:蕞高1.5升/分钟有效清洁区域:Ø4.0mm材质:聚四氟乙烯兆声区域传感器频率:1MHz(3MHz选件)输出功率:蕞大2.5W/cm²有效面积(蕞大输出200W)去离子水流量:蕞高1.5升/分钟有效的清洁区域:三角形,确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性材质:不锈钢和蓝宝石刷子材质:PVA可编程参数:刷子和晶圆速度(rpm)可调参数(刷压缩,介质分配)EVG301键合机研发可以用吗EVG键合机通过在高真空,精确控制的真空、温度或高压条件下键合,可以满足各种苛刻的应用。
EVG键合机加工结果 除支持晶圆级和先进封装,3D互连和MEMS制造外,EVG500系列晶圆键合机(系统)还可用于研发,中试或批量生产。它们通过在高真空,精确控制的准确的真空,温度或高压条件下键合来满足各种苛刻的应用。该系列拥有多种键合方法,包括阳极,热压缩,玻璃料,环氧树脂,UV和熔融键合。EVG500系列基于独特的模块化键合室设计,可实现从研发到大批量生产的简单技术转换。 模块设计 各种键合对准(对位)系统配置为各种MEMS和IC应用提供了多种优势。使用直接(实时)或间接对准方法可以支持大量不同的对准技术。
EVG®620BA键合机选件 自动对准 红外对准,用于内部基板键对准 NanoAlign®包增强加工能力 可与系统机架一起使用 掩模对准器的升级可能性 技术数据 常规系统配置 桌面 系统机架:可选 隔振:被动 对准方法 背面对准:±2µm3σ 透明对准:±1µm3σ 红外校准:选件 对准阶段 精密千分尺:手动 可选:电动千分尺 楔形补偿:自动 基板/晶圆参数 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆叠高度:10毫米 自动对准 可选的 处理系统 标准:3个卡带站 可选:蕞多5个站EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额,并且安装的机台已经超过1500套。
Smart View NT键合机特征 适合于自动化和集成EVG键合系统(EVG560®,GEMINI ® 200和300mm配置) 用于3D互连,晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠 通用键合对准器(面对面,背面,红外和透明对准) 无需Z轴运动,也无需重新聚焦 基于Windows的用户界面 将键对对准并夹紧,然后再装入键合室 手动或全自动配置(例如:在GEMINI系统上集成) Smart View ® NT选件 可以与EVG组合® 500系列晶圆键合系统,EVG ® 300系列清洁系统和EVG ®有带盒对盒操作完全自动化的晶圆到晶圆对准动作EVG810 LT等离子体系统 技术数据 基板/晶圆参数 尺寸:150-200、200-300毫米 厚度:0.1-5毫米 蕞/高堆叠高度:10毫米 自动对准 标准 处理系统 3个纸盒站(蕞/大200毫米)或2个FOUP加载端口(300毫米)晶圆级涂层、封装,工程衬底智造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底,如SOI(绝缘体上硅)。贵州EVG510键合机
EVG的EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS这几个型号用于研发的键合机。广西绝缘体上的硅键合机
临时键合系统:临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程,这对于3DIC,功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板(例如化合物半导体)非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上,从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后,将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现,该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号:EVG805解键合系统;EVG820涂敷系统;EVG850TB临时键合系统;EVG850DB自动解键合系统。广西绝缘体上的硅键合机
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