PECVD管式炉的具体工艺流程？硅烷与氨气反应生成SiN淀积在硅片表面形成减反射膜。利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术。由于等离子体存在，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，促进反应活性基团的生成，从而降低沉积温度。PECVD在200℃～500℃范围内成膜，远小于其它CVD在700℃～950℃范围内成膜。反应过程中有大量的氢离子注入到硅片中，使硅片中悬挂键饱和、缺陷失去活性，达到表面钝化和体钝化的目的。 使用真空管式炉的操作：不能使用补偿导线的时候，则需要把机械零位调整到刻度零位。上海PECVD管式炉操作规程
CVD管式炉使用注意事项：1.冷炉使用时，由于管式炉膛是冷的，须大量吸热，所以低温段升温速率不易过快，各温度段的升温速率差别不易太大，设置升温速率时应充分考虑所烧结材料的物理化学性质，以免出现喷料现象，污染炉管。2.定期检查温度控制系统的电器连接部分的接触是否良好，应特别注意加热元件的各连接点的连接是否紧固。，要在120℃左右烘烤1小时，在300℃左右烘烤2小时后使用，以免造成炉膛开裂。炉温尽量不要超过额定温度，以免损坏加热元件及炉衬。禁止向炉膛内直接灌注各种液体及溶解金属，保持炉内的清洁。4.炉膛若采用石英管，当温度高于1000℃时，石英管的高温部分会出现不透明现象，这叫失透是连熔石英管的一个固有缺陷，属正常现象。 山西箱式炉操作规程真空管式炉的使用覆盖范围还是比较普遍的，很多材料都是需要在加热的环境下进行处理的。
管式炉怎样实现程序控温？1、炉膛内材料的选择。选择耐火材料如氧化铝、耐火纤维和轻质砖做成的炉体是关键的一环，管式炉以硅钼棒、硅碳棒等电加热元件提供热源的温度控制设备采用可控硅温度控制器，炉况温度，炉温控制效果在实时性和控制精度方面有显着提高。2、计算机可操控多台管式炉。管式炉采用计算机控制后，一台计算机可以同时控制多台管式炉，不但实现了程序自动控制，管式炉而且可以多点温度显示记录存储和报警等功能，系统使触发电路等大部分部件互换，可以使传统的设备得到升级。这样设备管理工作实现自动化，管式炉对设备比较简单。
管式炉采用高温石英材料为炉管，低蓄热高辐射轻质纤维材料制作发热炉胆，节能，高温发热丝为发热元件，可在15分钟时间升温到1000度。控制系统为先进的LTDE可编程仪表，可任意设置升温降温，恒温，定时开机，关机等多波段操作。控制器位于炉体下方，一体化制作，炉体和温控器的电气连接出厂前已完成，通上电源即可使用，控制系统采用升温速度可设定的LTDE可编程仪表，管式炉系统同步协调控制，使任何试验或实验的一致性和再现性成为可能。具有自动恒温及时间控制功能，并附设有二级超温自动保护功能，控制可靠，使用安全。密封系统带有双头进气阀，单头出气阀，真空表，不锈钢密封头，和耐高温密封胶，密封性能好，如需要还可另配流量计，和水冷却装置。该炉美观大方，性能优越，是各高等院校科研单位首先的真空管式炉。立式真空炉一般由炉膛、电热装置、密封炉壳、真空系统、供电系统和控温系统等组成。
真空箱式炉以1800型硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和厦门宇电50段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，真空电阻炉普遍应用于金属材料在低真空、还原性、保护性气氛下的热处理；也可以用于特殊材料的热处理。二、设备特点1、设计理念本系列陶瓷纤维炉衬热处理炉引进国外先进技术、秉承欧洲工业炉高性能、自动化程度高、操作界面简单易学的特点；2、自动化控制1.控温方式：控温热电偶和智能数显温控仪表、可控硅模块和移相触发系统、电加热元件组成闭环控制系统，自动控制炉内各区的温度，并保持全炉膛内温度均匀一致；2.负载恒流、恒压、恒功控制技术，根据不同负载特性，有效的保护断电引起损坏负载问题；3.可设置多条时间曲线，曲线总段数多达20段；4.具有“给定值+时间值”和“升温段+恒温段”两种程序设置模式可选；5.所有参数可按键设定，数据自动保存不丢失；3、一体化结构电控系统与炉体一体化结构、操作简单，减少占位。 箱式炉为保证炉温，不得随便打开箱式炉炉门，检查炉内情况应从炉门孔中观察。青海管式炉价格
管式炉充入气体注意：确认各阀门都处于关闭状态，接通氢气气路时，对各接头处用肥皂水检漏，确认不漏气。上海PECVD管式炉操作规程
管式炉怎样实现程序控温？1、管式炉温度测量与控制。热电偶采集信号通过控温仪表测量出控制触发板控制可控硅导通角的大小，从而控制主回路加热元件电流大小，使管式炉保持在设定的工作温度状态。2、管式炉可控硅控制。管式炉可控硅温度控制器由主回路和控制回路组成。管式炉主回路是由可控硅，过电流保护快速熔断器、过电压保护管式炉的加热元件等部分组成。控制回路是由直流信号电源、直流工作电源、电流反馈环节、同步信号环节、触发脉冲产生器、温度检测器和管式炉的控温仪表等部分组成。上海PECVD管式炉操作规程
