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PECVD管式炉的具体工艺流程？硅烷与氨气反应生成SiN淀积在硅片表面形成减反射膜。利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术。由于等离子体存在，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，促进反应活性基团的生成，从而降低沉积温度。PECVD在200℃～500℃范围内成膜，远小于其它CVD在700℃～950℃范围内成膜。反应过程中有大量的氢离子注入到硅片中，使硅片中悬挂键饱和、缺陷失去活性，达到表面钝化和体钝化的目的。使用真空管式炉的操作：把热电偶通过偶孔插入。贵州真空箱式炉研究所**

pecvd管式炉烟囱和烟道：其作用是将炉膛的烟气排入大气中，cvd管式炉，内部均用耐火和保温材料衬里。为调节烟气排除速度，还装有可活动挡板。烟气流动为上抽式的加热炉烟囱安装在对流室上部；烟气流动为下行式的加热炉，烟囱安装在炉侧，并设有烟道。吹灰器：其主要作用是防止积灰，管式炉膛，尽量保持炉管表面始终干净，pecvd管式炉，用以强化对流管的对流传热，管式炉，提高炉的热效率。炼厂应用的吹灰器有自动伸缩式和固定旋转式两种。   汕头PECVD管式炉使用真空管式炉的操作：不能使用补偿导线的时候，则需要把机械零位调整到刻度零位。

深圳市迪斯普设备有限公司真空箱式炉操作特别提示：（1）配上真空泵，抽取炉内的空气，较大不超过四格指针刻度，当真空表指针下降接近四格时停顿抽气，充入隋性气体，使指针归0位或稍大于0位，再抽气，充气，往复3-5次，确保炉腔内的保护气体有一定的浓度；（2）如无真空泵需气氛保护时，接上进气管，充入惰性气体，稍稍放开前面的出气阀，当充入气体大于炉膛容积约1.5倍时关闭出气口阀门，观测压力表大于“0”小于一格；（3）在完成以上内容后再在操作面板上设置好需要温度程序（升温速度较高不得超过10℃/min）（4）实验结束提取试样前需确保炉内温炉降在安全范围内，打开气阀后方可打开炉门。

    深圳市迪斯普设备有限公司多温区管式炉的保养：一、炉子使用或长时间不用后，要在120℃左右烘烤1小时，在300℃左右烘烤2小时后使用，以免造成炉膛开裂。炉温尽量不要超过额定温度，以免损坏加热元件及炉衬。禁止向炉膛内直接灌注各种液体及溶解金属，保持炉内的清洁。二、炉膛若采用刚玉炉管，依据刚玉材料的物理性质，各温区的升﹑降温速率不宜过快（≤5℃），严禁在炉管100℃以上取送物料。有利于炉管的热应力的均匀释放，以延长炉管的使用寿命。炉膛若采用石英管，当温度高于1000℃时，石英管的高温部分会出现不透明现象，这叫失透（又叫析晶性）是石英管的一个固有缺陷，属正常现象。三、管式炉在气氛条件下使用，气体在高温下会膨胀，导致管内压力变大，使用者应及时开启针阀，排出气体。 箱式气氛炉节能型的陶瓷纤维材料和双层外壳结构，具有升降温速度快，能耗低。

管式炉怎样实现程序控温？1、炉膛内材料的选择。选择耐火材料如氧化铝、耐火纤维和轻质砖做成的炉体是关键的一环，管式炉以硅钼棒、硅碳棒等电加热元件提供热源的温度控制设备采用可控硅温度控制器，炉况温度，炉温控制效果在实时性和控制精度方面有显着提高。2、计算机可操控多台管式炉。管式炉采用计算机控制后，一台计算机可以同时控制多台管式炉，不但实现了程序自动控制，管式炉而且可以多点温度显示记录存储和报警等功能，系统使触发电路等大部分部件互换，可以使传统的设备得到升级。这样设备管理工作实现自动化，管式炉对设备比较简单。管式炉炉型如何选择：被加热介质以气相为连续相，体积流量大，要求压降小的时候，适合选择一起管竖管式。湖南立式炉厂家

PECVD管式炉当炉体温度高于1000℃时，炉管内不可处于真空状态。贵州真空箱式炉研究所**

管式炉怎样实现程序控温？1、管式炉温度测量与控制。热电偶采集信号通过控温仪表测量出控制触发板控制可控硅导通角的大小，从而控制主回路加热元件电流大小，使管式炉保持在设定的工作温度状态。2、管式炉可控硅控制。管式炉可控硅温度控制器由主回路和控制回路组成。管式炉主回路是由可控硅，过电流保护快速熔断器、过电压保护管式炉的加热元件等部分组成。控制回路是由直流信号电源、直流工作电源、电流反馈环节、同步信号环节、触发脉冲产生器、温度检测器和管式炉的控温仪表等部分组成。贵州真空箱式炉研究所**