管式炉采用先进技术研制开发的高性能高节能的新型电炉，有单管、双管、卧式、可开启式、立式、单温区、双温区、三温区等多种管式炉型。主要应用于大专院校、科研院所、工矿企业等实验和小批量生产之用。具有安全可靠、操作简单、控温精度高、保温效果好、温度范围大、炉膛温度均匀性高、温区多、可选配气氛、抽真空炉型等。管式炉针对实验室的使用要求，装卸料采用间歇式手动装、卸料，装料时将料盒放置在料盆支架上，打开并取出炉管一端的密封端盖，放入带料盒的料盒支架，再将密封端盖安装在炉管法兰上并拧紧卡箍螺栓。然后通人工艺气氛，直到炉管内氧含量达到工艺要求时进行升温烧结。产品烧结工艺完成后，应继续通人小量的工艺气氛并进行降温，直到炉内温度低于工艺要求时，方可打开炉管密封端盖取出产品。空管式炉就能完成对产品的烧结工作。黑龙江箱式炉参考价
箱式气氛炉冷却部分炉门采用循环式水冷。设有进出水接头。电气部分电气部分采用与炉体一体化结构，整个电气元件安装在炉体底部的一侧，结构紧凑、占用空间小。温控安装在炉体侧面板上，观察直观，调节方便，温控仪具有PID调节功能，可自动追踪设定较佳PID值，可任意设定测量分度密码，同时具备补偿功能，可使炉膛温度与显示值一致，控温方式：采用德国西门子技术，具有软启动、软关断、可控硅移相调压控制，0~98%输出可调节，面板上各种仪表开关等有相应的中文标牌。河北立式炉厂家**箱式炉为保证炉温，不得随便打开箱式炉炉门，检查炉内情况应从炉门孔中观察。
多温区管式炉注意事项：1.多温区管式炉操作注意事项炉子初次使用或长时间不用后，要在120度左右烘炉1小时，在300度左右烘烤2小时后使用，以免造成炉膛开裂。炉温不得超过额定温度，以免损坏加热元件及炉衬。2.禁止向炉膛内直接灌注各种液体及溶解金属，保护颅内清洁。3.炉体若采用硅钼棒做加热元件，依据硅钼棒的物理特性，常温下脆性很大，因此在加热元件安装好后不能随意拆装和搬动炉体，4.冷炉使用时，由于炉膛是冷的，须大量吸热，所以低温段升温速率不宜过快，各种温度段的升温速率差别不宜太大，设置升温速率时应充分考虑所烧结材料的物理化学性质，以免出现喷料现象，污染炉膛，5.定期检查温度控制系统的电器连接部分的接触是良好，应特别注意加热元件的各连接是否紧固。6.硅钼棒作为加热元件时不宜在400-700度温度段长时间运行，否则硅钼棒将发生低温氧化。7.硅钼棒做加热元件时，长时间运行，阻值会逐渐增大，这种现象叫“老化”。
立式真空管式炉的可编程控温表操作：(1)多种工作方式。智能温度控制器具有准备(READY)、运行(RUN)、保持(HOLD)、测试(TEST)、结束(END)、PV启动、自动(AUTO)、手动(MANUAL)等多种工作方式，以满足温度过程控制的需要。(2)多种报警设置。智能温度控制韶支持多种报警形式，如温度上、下限报警，温度偏差报警，温度值报警等，报警是否生效，在什么条件下报警都可以通过参数设置完成。(3)强大的程序功能。支持工艺曲线数量，每条工艺曲线的段数，参数的设置范围，曲线的链接和循环，各种事件的数量等内容反映了控制器的程序处理能力。例如DCP31智能温度控制器，工艺曲线数量19条，每条工艺曲线30段，时间设置范围从0到99小时59分，曲线的链接0~19，程序循环次数0~9999，真空箱式炉还有8种操作和时间事件在编程时可供选择。在操作真空管式炉的时候。一定要有安全意识。
PECVD管式炉的具体工艺流程？硅烷与氨气反应生成SiN淀积在硅片表面形成减反射膜。利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术。由于等离子体存在，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，促进反应活性基团的生成，从而降低沉积温度。PECVD在200℃～500℃范围内成膜，远小于其它CVD在700℃～950℃范围内成膜。反应过程中有大量的氢离子注入到硅片中，使硅片中悬挂键饱和、缺陷失去活性，达到表面钝化和体钝化的目的。管式炉具有抗干扰能力强，控制精度高，冲温值小的特点。内蒙古立式炉高校实验室**
如何选择有质量保障的真空管式炉：制造技术。黑龙江箱式炉参考价
管式炉是一种实验室设备,适用于金属，纳米，单晶硅,多晶硅,电池等的扩散焊接以及真空下的气体保护下，在真空或气氛状态下烧结各种新材料样品。采用先进技术，开发研制的节能环保电炉，管式炉有单管、双管、卧式、可开启式管式实验电炉。如要通各种气体也可以也可配备气体控制柜。管式炉适用于工矿企业、大专院校，科研院所及实验室作真空或气氛状态下烧结各种新材料样品用。真空气氛管式炉是一种先进实验设备，适用于金属，纳米，单晶硅，多晶硅，电池等的扩散焊接以及真空气体保护下，气氛热处理的加热设备。真空气氛炉主要用于材料试验、合成、烧结等。炉体保温性能良好，节能，气氛炉还可用于、复合材料、粉体材料、结构陶瓷、合金的真空热压烧结。黑龙江箱式炉参考价
