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变频器维修企业商机

电压保护

1、过电压保护

产生过电压的原因及处理方法:

①电源电压太高

②降速时间太短

③降速过程中,再生制动的放电单元工作不理想,来不及放电,请增加外接制动电阻和制动单元

④请检查放电回路有没有发生故障,实际并不放电;对于小功率的变频器很有放电电阻损坏

2、欠电压保护

产生欠电压的原因及处理方法:

①电源电压太低

②电源缺相;

③整流桥故障:如果六个整流二极管中有部分因损坏而短路,整流后的电压将下降,对于整流器件和晶闸管的损坏,应注意检查,及时更换。 变频器降速中的过电流。杭州变频器维修修理

5)电机发热,变频器显示过载对于已经投入运行的变频器如果出现这种故障,就必须检查负载的状况;对于新安装的变频器如果出现这种故障,很可能是V/F曲线设置不当或电机参数设置有问题,如一台新装变频器,其驱动的是一台变频电机,电机额定参数为220V/50Hz,而变频器出厂时设置为380V/50Hz,由于安装人员没有正确设定变频器的V/F参数,导致电机运行一段时间后转子出现磁饱和,致使电机转速降低,发热而过载。所以在新变频器使用以前,必须设置好该参数,另外使用变频器的无速度传感器矢量控制方式时,没有正确的设置负载电机的额定电压、电流、容量等参数,也会导致电机热过载,还有一种情形是设置的变频器载波率过高时,也会导致电机发热过载,***一种情形是电气设计者设计变频器常常在低频段工作,而没有考虑到在低频段工作的电机散热变差的问题,致使电机工作一段时间后发热过载,对于这种,需加装散热装置。金华变频器维修中心变频器电源与驱动板启动显示过电流的故障判断。

信号线与动力线必须分开走线:使用模拟量信号进行远程控制变频器时,为了减少模拟量受来自变频器和其它设备的干扰,请将控制变频器的信号线与强电回路(主回路及顺控回路)分开走线。距离应在30cm以上。即使在控制柜内,同样要保持这样的接线规范。该信号与变频器之间的控制回路线长不得超过50m。

信号线与动力线必须分别放置在不同的金属管道或者金属软管内部:连接PLC和变频器的信号线如果不放置在金属管道内,极易受到变频器和外部设备的干扰;同时由于变频器无内置的电抗器,所以变频器的输入和输出级动力线对外部会产生极强的干扰,因此放置信号线的金属管或金属软管一直要延伸到变频器的控制端子处,以保证信号线与动力线的彻底分开。

1)模拟量控制信号线应使用双股绞合屏蔽线,电线规格为0.75mm2。在接线时一定要注意,电缆剥线要尽可能的短(5-7mm左右),同时对剥线以后的屏蔽层要用绝缘胶布包起来,以防止屏蔽线与其它设备接触引入干扰。

2)为了提高接线的简易性和可靠性,推荐信号线上使用压线棒端子。

什么是变频器?

变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。

可分为交—交变频器、交-直-交变频器。

交-交变频器可直接把交流电变成频率和电压都可变的交流电;

交-直-交变频器则是先把交流电经整流器先整流成直流电,再经过逆变器把直流电变成频率和电压都可变的交流电。

变频器的组成:

变频器是由主回路和控制回路两大部分组成的。主回路由整流器、滤波器和逆变器三个主要部分组成。控制回路则由单片机、驱动电路和光电隔离电路组成。

变频技术是应交流电机无级调速的需要而诞生的。随着电力电子器件【从SCR(晶闸管)发展到现在的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)】、电力变换技术的不断发展和脉宽调制变压变频调速理论(PWM—VVVF)的成熟。 关于变频器维修的基础知识。

5例变频器故障处理过程(1)变频器驱动电机抖动在接修一台安川616PC5-5.5kW变频器时,客户送修时标明电机行抖动,此时***反应是输出电压不平衡.在检查功率器件后发现无损坏,给变频器通电显示正常,运行变频器,测量三相输出电压确实不平衡,测试六路数出波形,发现W相下桥波形不正常,依次测量该路电阻,二极管,光耦。发现提供反压的一二极管击穿,更换后,重新上电运行,三相输出电压平衡,修复。(2)变频器频率上不去在接修一台普传220V,单相,1.5kW变频器时,客户标明频率上不去,只能上到20Hz,此时***想到的是有可能参数设置不当,依次检查参数,发现比较高频率,上限频率都为60Hz,可见不是参数问题,又怀疑是频率给定方式不对,后改成面板给定频率,变频器比较高可运行到60Hz,由此看来,问提出在模拟量输入电路上,检查此电路时,发现一贴片电容损坏,更换后,变频器正常。变频器维修中的电压保护。金华变频器维修中心

变频器逆变模块损坏的故障判断。杭州变频器维修修理

2、工作时状态和普通晶体管一样,GTR也是一种放大器件,具有三种基本的工作状态:

⑴放大状态起基本工作特点是集电极电流Ic的大小随基极电流Ib而变Ic=βIb式中β------GTR的电流放大倍数。

GTR处于放大状态时,其耗散功率Pc较大。设Uc=200V,Rc=10Ω,β=50,Ib=200mA(0.2A)计算如下:Ic=βIb=50*0.2A=10AUce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100VPc=UceIc=100*10W=1000W=1KW

⑵饱和状态Ib增大时,Ic随之而增大的状态要受到欧姆定律的制约。当βIb>Uc/Rc时,Ic=βIb的关系便不能再维持了,这时,GTR开始进入“饱和"状态。而当Ic的大小几乎完全由欧姆定律决定,即Ics≈Uc/Rc时,GTR便处于深度饱和状态(Ics为饱和电流)。这时,GTR的饱和压降Uces约为1-5V。

GTR处于饱和状态时的功耗是很小的。上例中,设Uces=2V,则Ics=Uc/Rc=200/10A=20APc=UcesIcs=2*20W=40W

可见,与放大状态相比,相差甚远。


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