在VVVF的实施，有两种基本的调制方法：
1.脉幅调制（PAM）逆变器所得交流电压的振幅值等于直流电压值（Um=Ud)。因此，实现变频也是变压的**容易想到的方法，便是在调节频率的同时，也调节直流电压；
这种方法的特点是，变频器在改变输出频率的同时，也改变了电压的振幅值，故称为脉幅调制，常用PAM(PulseAmplitudeModulation)表示。PAM需要同时调节两部分：整流部分和逆变部分，两者之间还必须满足Ku和Kf间的一定的关系，故其控制电路比较复杂。
2.脉宽调制（PWM）把每半个周期内，输出电压的波形分割成若干个脉冲波，每个脉冲的宽度为T1，每两个脉冲间的间隔宽度为T2，那么脉冲的占空比Υ=T1/（T1+T2）。
这时，电压的平均值和占空比成正比，所以在调节频率时，不改变直流电压的幅值，而是改变输出电压脉冲的占空比，也同样可以实现变频也变压的效果。当电压周期增大（频率降低），电压脉冲的幅值不变，而占空比在减小，故平均电压降低。
此法的特点是，变频器在改变输出频率的同时，也改变输出电压的脉冲占空比（幅值不变）故称为脉宽调制，常用PWM(Pulsewidthmodulation)表示。 变频器在上电前后必须注意哪些地方？品质变频器维修故障
损坏原因变
频器散热不好
其实我们都知道，温度过高对任何设备都具有破坏作用，就像人的大脑那样，温度过高也会把脑子烧坏，其实变频器也一样的。温度升高时，由于半导体对温度的敏感性，逆变管的开通时间和关断时间，以及由延迟电路产生的等待时间，都将发生变化，并且具有比较准确的变化规律。当温度一旦超过某一限值时，将引起“等待时间”的不足，使逆变电路的输出波形出现“毛刺”，并**终导致逆变管因直通而损坏。
但就多数设备而言，其破坏作用常常是比较缓慢的，受破坏时的温度通常是不很准确的，而唯独在变频器逆变电路中，温度一超过某一限值，会立即导致逆变管的损坏，并且该温度限值往往十分精确。 衢州ab变频器维修变频器维修的简易方法。
过热保护
主要有以下几点：
⑴风扇运转保护变频器的内装风扇是箱体内部散热的主要手段，它将保证控制电路的正常工作。所以，如果风扇运转不正常，应立即进行保护；
⑵逆变模块散热板的过热保护逆变模块是变频器内发生热量的主要部件，也是变频器中**重要而又**脆弱的部件。所以，各变频器都在散热板上配置了过热保护器件；
⑶制动电阻过热保护制动电阻的标称功率是按短时运行选定的。所以，一旦通电时间过长，就会过热。这时，应暂停使用，待冷却后再用。或选用较大一点功率电阻；
⑷冷却风道的入口和出口不得堵塞，环境温度也可能高于变频器的允许值。如果还有问题，你可以打电话给我们。
1.比较器检测
通过稳压管固定比较器一端的电压，被检测的电压取样后再与之比较，结果通过比较器输出。
2.ADC检测(模拟/数字转换器)
被检测的电压通过电阻降压取样后，落在ADC可检测的范围，可以通过程序设定电压的报警范围。
主电路中的储能电容，对运行中变频器过压、欠压影响很大。而变频器电路的各种零部件又有一定使用寿命的，所以一旦变频器零部件达到使用寿命就会带来故障的发生。像主电路中的储能电容或其它零部件的原因都有可能对主电路造成影响，从而使整个变频器发生故障。通常变频器停用时间过长，达到一年以上，则应对储能电容要做一次***体检。
对长时间不用的变频器，如何来避免这种现象发生呢?
按照要求，停用的变频器应每隔两三个月通电—次，每次20～30分钟。对于长时问不用的电解屯容器，通电时，先加约50%的额定电压，只要加压时间在半小时以上，它的漏电流就会降下去，也就可以正常使用了。
此外，对使用年限较长(五年以上)的变频器，也一定要对储能电容器进行容量检测。运行中频繁跳欠电压故障，多数为直流电路的电容器容量不足、有容量下降或失容现象。 GTR的三种基本的工作状态是什么？
3、双极性SPWM法
(1)调制波和载波：调制波仍为正弦波，其周期决定于kf，振幅决定于ku,中曲线①，载波为双极性的等腰三角波，其周期决定于载波频率，振幅不变，与ku=1时正弦波的振幅值相等。
调制波与载波的交点决定了逆变桥输出相电压的脉冲系列，此脉冲系列也是双极性的，但是，由相电压合成为线电压(uab=ua-ub;ubc=ub-uc;uca=uc-ua)时，所得到的线电压脉冲系列却是单极性的。
(2)双极性调制的工作特点：逆变桥在工作时，同一桥臂的两个逆变器件总是按相电压脉冲系列的规律交替地导通和关断，毫不停息，而流过负载ZL的是按线电压规律变化的交变电流。变频器如何测试检修？嘉兴风机变频器维修
变频器电源与驱动板启动显示过电流的故障判断。品质变频器维修故障
4.变频器用GTR的选用
⑴Uceo通常按电源线电压U峰值的2倍来选择。
Uceo≥2厂2U在电源电压为380V的变频器中，应有Uceo≥2厂2U*380V=1074.8V，故选用Uceo=1200V的GTR是适宜的。
⑵Icm按额定电流In峰值的2倍来选择Icm≥2厂2InGTR是用电流信号进行驱动的，所需驱动功率较大，故基极驱动系统比较复杂，并使工作频率难以提高，这是其不足之处。***我告诉大家的是MOSFET以及IGBT
功率场效应晶体管（POWERMOSFET）它的3个极分别是源极S、漏极D和栅极G。
绝缘栅双极晶体管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构（MOS结构）的晶体管，它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G。 品质变频器维修故障
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