开关电源
开关电源电路提供变频器的整机控制用电，是变频器正常工作的先决条件。变频器应用的开关电源电路，为直一交一直型的逆变电路，是一种电压和功率的变换器，将直流电压和功率转换为脉冲电压，再整流成为另一种直流电压。输人、输出电压由开关变压器相隔离，开关变压器起到功率传递、电压/电流变换的作用。开关变压器为降压变压器。开关电源的特点如下：
1)开关电源的振荡和调压方式是利用改变脉冲宽度或周期来调整输出电压的，称为时间比例控制，又分为PWM(调宽)和PFM(调频)两种控制方式。
2)从电路的能量转换特性看，可分为正激和反激两种工作方式。开关管饱和导通时，二次绕组连接的整流器受反偏压而截止，开关变压器的一次绕组流入电流而储能〈电磁转换）。开关管截止时，二次绕组经负载电路释放电能（磁电转换)。正激方式则与此相反，实际应用不多。 SCR晶闸管的基本结构是什么？宁波变频器维修哪家好
4.变频器用GTR的选用
⑴Uceo通常按电源线电压U峰值的2倍来选择。
Uceo≥2厂2U在电源电压为380V的变频器中，应有Uceo≥2厂2U*380V=1074.8V，故选用Uceo=1200V的GTR是适宜的。
⑵Icm按额定电流In峰值的2倍来选择Icm≥2厂2InGTR是用电流信号进行驱动的，所需驱动功率较大，故基极驱动系统比较复杂，并使工作频率难以提高，这是其不足之处。***我告诉大家的是MOSFET以及IGBT
功率场效应晶体管（POWERMOSFET）它的3个极分别是源极S、漏极D和栅极G。
绝缘栅双极晶体管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构（MOS结构）的晶体管，它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G。 使用变频器维修使用方法变频器降速中的过电流。
⑵饱和状态Ib增大时，Ic随之而增大的状态要受到欧姆定律的制约。当βIb>Uc/Rc时，Ic=βIb的关系便不能再维持了，这时，GTR开始进入“饱和"状态。而当Ic的大小几乎完全由欧姆定律决定，即Ics≈Uc/Rc时，GTR便处于深度饱和状态（Ics为饱和电流）。这时，GTR的饱和压降Uces约为1-5V。
GTR处于饱和状态时的功耗是很小的。上例中，设Uces=2V，则Ics=Uc/Rc=200/10A=20APc=UcesIcs=2*20W=40W
可见，与放大状态相比，相差甚远。
⑶截止状态即关断状态。这是基极电流Ib≤0的结果。
在截止状态，GTR只有很微弱的漏电流流过，因此，其功耗是微不足道的。
GTR在逆变电路中是用来作为开关器件的，工作过程中，总是在饱和状态间进行交替。所以，逆变用的GTR的额定功耗通常是很小的。而如上述，如果GTR处于放大状态，其功耗将增大达百倍以上。所以，逆变电路中的GTR是不允许在放大状态下小作停留的。
损坏原因变
频器散热不好
其实我们都知道，温度过高对任何设备都具有破坏作用，就像人的大脑那样，温度过高也会把脑子烧坏，其实变频器也一样的。温度升高时，由于半导体对温度的敏感性，逆变管的开通时间和关断时间，以及由延迟电路产生的等待时间，都将发生变化，并且具有比较准确的变化规律。当温度一旦超过某一限值时，将引起“等待时间”的不足，使逆变电路的输出波形出现“毛刺”，并**终导致逆变管因直通而损坏。
但就多数设备而言，其破坏作用常常是比较缓慢的，受破坏时的温度通常是不很准确的，而唯独在变频器逆变电路中，温度一超过某一限值，会立即导致逆变管的损坏，并且该温度限值往往十分精确。 变频器维修的静态测试方法。
4、实施SPWM的基本要求
(1)必须实时地计算调制波(正弦波)和载波(三角波)的所有交点的时间坐标，根据计算结果，有序地向逆变桥中各逆变器件发出“通”和“断”的动作指令。
(2)调节频率时，一方面，调制波与载波的周期要同时改变(改变的规律本文不作介绍)；另一方面，调制波的振幅要随频率而变，而载波的振幅则不变，所以，每次调节后，所胶点的时间坐标都必须重新计算。要满足上述要求，只有在计算机技术取得长足进步的20世纪80年代才有可能，同时，又由于大规模集成电路的飞速发展，迄今，已经有能够产生满足要求的SPWM波形的**集成电路了。 变频器维修中的过电流的处理方法。性能优良变频器维修厂家价格
逆变器件的主要参数有哪些？宁波变频器维修哪家好
2、工作时状态和普通晶体管一样，GTR也是一种放大器件，具有三种基本的工作状态：
⑴放大状态起基本工作特点是集电极电流Ic的大小随基极电流Ib而变Ic=βIb式中β------GTR的电流放大倍数。
GTR处于放大状态时，其耗散功率Pc较大。设Uc=200V，Rc=10Ω，β=50，Ib=200mA（0.2A）计算如下：Ic=βIb=50*0.2A=10AUce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100VPc=UceIc=100*10W=1000W=1KW
⑵饱和状态Ib增大时，Ic随之而增大的状态要受到欧姆定律的制约。当βIb>Uc/Rc时，Ic=βIb的关系便不能再维持了，这时，GTR开始进入“饱和"状态。而当Ic的大小几乎完全由欧姆定律决定，即Ics≈Uc/Rc时，GTR便处于深度饱和状态（Ics为饱和电流）。这时，GTR的饱和压降Uces约为1-5V。
GTR处于饱和状态时的功耗是很小的。上例中，设Uces=2V，则Ics=Uc/Rc=200/10A=20APc=UcesIcs=2*20W=40W
可见，与放大状态相比，相差甚远。
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