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变频器维修企业商机

损坏原因变

频器散热不好

其实我们都知道,温度过高对任何设备都具有破坏作用,就像人的大脑那样,温度过高也会把脑子烧坏,其实变频器也一样的。温度升高时,由于半导体对温度的敏感性,逆变管的开通时间和关断时间,以及由延迟电路产生的等待时间,都将发生变化,并且具有比较准确的变化规律。当温度一旦超过某一限值时,将引起“等待时间”的不足,使逆变电路的输出波形出现“毛刺”,并**终导致逆变管因直通而损坏。

但就多数设备而言,其破坏作用常常是比较缓慢的,受破坏时的温度通常是不很准确的,而唯独在变频器逆变电路中,温度一超过某一限值,会立即导致逆变管的损坏,并且该温度限值往往十分精确。 变频器的作用是什么?制造变频器维修使用方法

2)变频器无故障显示,但不能高速运行我厂一台变频器状态正常,但调不到高速运行,经检查,变频器并无故障,参数设置正确,调速输入信号正常,上电运行时测试出现变频器直流母线电压只有450V左右,正常值为580~600V,再测输入侧,发现缺了一相,故障原因是输入侧的一个空气开关的一相接触不良造成的,为什么变频器输入缺相不报警仍能在低频段工作呢?实际上变频器缺一相输入时,是可以工作的,多数变频器的母线电压下限为400V,即是当直流母线电压降至400V以下时,变频器才报告直流母线低电压故障。当两相输入时,直流母线电压为380*1.2=452V400V。当变频器不运行时,由于平波电容的作用,直流电压也可达到正常值,新型的变频器都是采用PWM控制技术,调压调频的工作在逆变桥完成,所以在低频段输入缺相仍可以正常工作,但因为输入电压低输出电压低,造成异步电机转矩低,频率上不去。安装变频器维修欢迎来电变频器维修中的过电流的处理方法。

(3)变频器跳过流在接修一台台安N2系列,400V,3.7kW变频器时,客户标明在起动时显示过电流。在检查模块确认完好后,给变频器通电,在不带电机的情况下,启动一瞬间显示OC2,首先想到的是电流检测电路损坏,依次更换检测电路,发现故障依然无法消除。于是扩大检测范围,检查驱动电路,在检查驱动波形时发现有一路波形不正常,检查其周边器件,发现一贴片电容有短路,更换后,变频器运行良好。(4)变频器整流桥二次损坏在接修一台LGSV030IH-4变频器时,检查时发现整流桥损坏,无其它不良之处,更换后,带负载运行良好。不到一个月,客户再次拿来。检查时发现整流桥再次损坏,此时怀疑变频器某处绝缘不好,单独检查电容,正常。单独检查逆变模块,无不良症状,检查各个端子与地之间也未发现绝缘不良问题,再仔细检查,发现直流母线回路端子P-P1与N之间的塑料绝缘端子有炭化迹象,拆开端子查看,果然发现端子碳化已相当严重,从安全角度考虑,更换损坏端子,变频器恢复正常运行,正常运行已有半年多。

采用变频器调速,将产生噪声和振动,这是变频器输出波形中含有高次谐波分量所产生的影响。随着运转频率的变化,基波分量、高次谐波分量都在大范围内变化,很可能引起与电动机的各个部分产生谐振等。噪声问题及对策

(1)用变频器传动电动机时,由于输出电压电流中含有高次谐波分量,气隙的高次谐波磁通增加,故噪声增大。电磁噪声由以下特征:由于变频器输出中的低次谐波分量与转子固有机械频率谐振,则转子固有频率附近的噪声增大。变频器输出中的高次谐波分量与铁心机壳轴承架等谐振,在这些部件的各自固有频率附近处的噪声增大。

变频器传动电动机产生的噪声特别是刺耳的噪声与PWM控制的开关频率有关,尤其在低频区更为***。一般采用以下措施平抑和减小噪声:在变频器输出侧连接交流电抗器。如果电磁转矩有余量,可将U/f定小些。采用特殊电动机在较低频的噪声音量较严重时,要检查与轴系统(含负载)固有频率的谐振。 变频器电源与驱动板启动显示过电流的故障判断。

一、过电流的原因

1、工作中过电流即拖动系统在工作过程中出现过电流.其原因大致来自以下几方面:

①电动机遇到冲击负载,或传动机构出现“卡住”现象,引起电动机电流的突然增加.

②变频器的输出侧短路,如输出端到电动机之间的连接线发生相互短路,或电动机内部发生短路等.

③变频器自身工作的不正常,如逆变桥中同一桥臂的两个逆变器件在不断交替的工作过程中出现异常。例如由于环境温度过高,或逆变器件本身老化等原因,使逆变器件的参数发生变化,导致在交替过程中,一个器件已经导通、而另一个器件却还未来得及关断,引起同一个桥臂的上、下两个器件的“直通”,使直流电压的正、负极间处于短路状态。 逆变器件的详细介绍。杭州艾默生变频器维修

普通晶闸管SCR 曾称可控硅,它有三个极:阳极,阴极和门极。制造变频器维修使用方法

2、工作时状态和普通晶体管一样,GTR也是一种放大器件,具有三种基本的工作状态:

⑴放大状态起基本工作特点是集电极电流Ic的大小随基极电流Ib而变Ic=βIb式中β------GTR的电流放大倍数。

GTR处于放大状态时,其耗散功率Pc较大。设Uc=200V,Rc=10Ω,β=50,Ib=200mA(0.2A)计算如下:Ic=βIb=50*0.2A=10AUce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100VPc=UceIc=100*10W=1000W=1KW

⑵饱和状态Ib增大时,Ic随之而增大的状态要受到欧姆定律的制约。当βIb>Uc/Rc时,Ic=βIb的关系便不能再维持了,这时,GTR开始进入“饱和"状态。而当Ic的大小几乎完全由欧姆定律决定,即Ics≈Uc/Rc时,GTR便处于深度饱和状态(Ics为饱和电流)。这时,GTR的饱和压降Uces约为1-5V。

GTR处于饱和状态时的功耗是很小的。上例中,设Uces=2V,则Ics=Uc/Rc=200/10A=20APc=UcesIcs=2*20W=40W

可见,与放大状态相比,相差甚远。


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