新闻中心
  • 代理分销商BEILING贝岭BL1587

    BL5372是一款由上海贝岭(Belling)生产的低功耗实时时钟电路。具有以下特点和功能: 功耗:BL5372在典型工作条件下的功耗为400nA@3.6V,非常适合对功耗有严格要求的应用。 灵活的时钟模式:支持12小时制或24小时制的计时...

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    2024/05
  • 中文资料ST先科2SA1661U

    MM1Z5B1是一款常见的电子元器件,具体为稳压二极管。以下是对其部分参数的介绍:品牌:MM1Z5B1的品牌可能是HTSEMI(金誉)或其他制造商,具体品牌可能会因供应商不同而有所差异。封装类型:常见的封装形式为SOD-123,这是一种小型化的封装,适用于多种...

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  • 中文资料WILLSEMI韦尔WPT2E33

    ESD5311N:单线、双向、低电容瞬态电压抑制器。 ESD5311N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。其内部包含一个低...

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  • 中文资料BEILING贝岭BLP12N10GL-E

    BLM3400是一款n通道增强模式电源MOSFET管,采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。它适用于电池保护和其他开关应用程序。 BLM3400具有一些特性: ·VDS(漏源电压)为30V...

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  • 中文资料BEILING贝岭BLP12N10GL-Q

    BL8072CLTR33是一款由上海贝岭(Belling)公司生产的低功耗、低损耗的线性调节器。该设备属于BL8072系列,提供多种功能和特点,适用于广泛的应用场景。 BL8072CLTR33具有低功耗和低损耗的特性,这使得它在电池供电设备和...

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  • 规格书BEILING贝岭BLR233

    BL9366是一款由上海贝岭(Belling)生产的单片降压开关模式转换器功率场效应管。 BL9366内部集成了功率MOSFET管,采用电流模式控制方式,具有快速环路响应和高环路稳定性。它能在宽范围输入电压(4.5V至60V)下提供0.6A电...

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  • 中文资料WILLSEMI韦尔ESD5425E

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比(PSRR)、低压降的CMOS线性稳压器,具有出色的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。所有标准产品均不含铅和卤素,符合环保要求。 ...

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  • 中文资料WILLSEMI韦尔WAS4780C

    ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过应力影响。ESD5311X包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据I...

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  • 代理分销商BEILING贝岭BL1117-CX

    BL24C16F-RRRC是一款由上海贝岭(Belling)生产的EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory,电可擦写可编程只读存储器)芯片。 以下是BL24C16F-RRRC...

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  • 中文资料BEILING贝岭BL1117-12CX

    BL8032CB6TR是一款由上海贝岭(Belling)生产的同步降压转换器。该转换器具有4.2V至18V的宽输入电压范围,能够提供高达2A的输出电流,并具有500KHz的开关频率。 BL8032CB6TR采用SOT-23-6封装,具有小巧的...

    2024/05/04 查看详细
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  • ST先科MMBT9012H

    MMBT5551是一款NPN型三极管,广泛应用于各种电子设备和电路中。以下是关于MMBT5551的详细参数和特性:主要参数:集电极-基极电压(Vcbo):160V集电极-发射极电压(Vceo):160V发射极-基极电压(Vebo):6V集电极电流(Ic):比较...

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  • 规格书WILLSEMI韦尔WMM7024ABHN0-3/TR

    WNM6001:单N沟道、60V、0.50A功率MOSFET 产品描述: WNM6001是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的槽型技术和设计,以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和...

    2024/05/04 查看详细
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