光纤耦合系统，包括角锥棱镜、倾斜反射镜、分光镜、第1透镜、三维平移台、1×2光纤分束器、标定激光器、接收终端、光电探测器、第二透镜、第1驱动器、控制处理机和第二驱动器。标定激光器发出光束经第1透镜准直为平行光，小部分光能量经分光镜透射后由角锥棱镜共轴返回，再次经分光镜和第二透镜在光电探测器上聚焦，控制处理机将此光斑质心标定为耦合光纤轴的零... 【查看详情】

硅光芯片耦合测试系统是一种应用双波长的微波光子频率测量设备,以及一种微波光子频率测量设备的校正方法和基于此设备的微波频率测量方法。在微波光子频率测量设备中,本发明采用独特的双环耦合硅基光子芯片结构,可以形成两个不同深度的透射谱线。该系统采用一定的校准方法,预先得到微波频率和两个电光探测器光功率比值的函数,测量过程中,得到两个电光探测器光功... 【查看详情】

硅光芯片耦合测试系统主要工作可以分为四个部分：1、利用开发出的耦合封装工艺,对硅光芯片调制器进行耦合封装并进行性能测试。分析并联MZI型硅光芯片调制器的调制特性,针对调制过程,建立数学模型,从数学的角度出发,总结出调制器的直流偏置电压的快速测试方法。并通过调制器眼图分析调制器中存在的问题,为后续研发提供改进方向。2、针对倒锥型耦合结构,分... 【查看详情】

在爆轰与冲击波实验中，瞬态速度的测量将为实验提供极为重要的参数。采用全光纤位移干涉技术的激光干涉测速系统由于高精度，结构紧凑、体积小、重量轻等诸多优势，成为冲击波与爆轰试验中速度测量系统的重要发展方向。而其中全光纤激光干涉测速仪器中的多-单模光纤耦合成为影响数据采集的较为重要的因素。如何提高多-单模光纤的耦合效率直接影响结尾的测试精度。通... 【查看详情】

如何判断探针卡的好坏：1.可以用扎五点来判断，即上中下左右，五点是否扎在压点内，且针迹清楚,又没出氧化层,针迹圆而不长且不开叉.2.做接触检查,每根针与压点接触电阻是否小于0.5欧姆.3.通过看实际测试参数来判断,探针与被测IC没有接触好，测试值接近于0。总之，操作工只要了解了探针卡故障的主要原因：1.探针氧化.2.针尖有异物(铝粉，墨迹... 【查看详情】

设计和研发新型光纤的重点是拉制工艺的控制和使用材料的选取。传统单模光纤要求纤芯和包层材料的折射率相似(一般来讲折射率差在1%左右),而光子晶体光纤耦合系统却要求折射率差值比较大,达到50%～100%。普通光纤中微小的折射率差常常用气相沉积的技术得到所需的预制棒,而光子晶体光纤耦合系统所需的大折射率差值通常利用堆管技术制作预制棒。光子晶体光... 【查看详情】

多模光纤耦合系统,属于照明技术领域。系统包括激光光源、耦合透镜、多模光纤;耦合透镜设于激光光源和多模光纤之间,多模光纤其与耦合透镜连接的一端设有光纤准直器;耦合透镜的进光端和出光端中的至少一端具有自由曲面,进光端或出光端具有自由曲面时且具有至少一个自由曲面,使得激光光源发出的不同角度的光线经耦合透镜耦合进入多模光纤的光纤准直器;进入光纤准... 【查看详情】

如果想使用几何光线来模拟多模光纤耦合系统，那么光纤的纤芯直径至少要比波长大10倍以上，这样纤芯可以支持比较多比较多的横模。如果光纤是可以传播二阶或三阶模的少模光纤，那我们必须使用物理光学来进行光纤耦合分析。在这篇文章中，“多模”定义为光纤支持太多种横模了，以至于光纤可以被视为一个导光管。当在物面上定义了一个具有确定尺寸和形状的扩展光源后，... 【查看详情】

光纤耦合系统，包括角锥棱镜、倾斜反射镜、分光镜、第1透镜、三维平移台、1×2光纤分束器、标定激光器、接收终端、光电探测器、第二透镜、第1驱动器、控制处理机和第二驱动器。标定激光器发出光束经第1透镜准直为平行光，小部分光能量经分光镜透射后由角锥棱镜共轴返回，再次经分光镜和第二透镜在光电探测器上聚焦，控制处理机将此光斑质心标定为耦合光纤轴的零... 【查看详情】

如果需要一款高量测精度的探针台，并不是有些厂商单纯的认为，通过简单的机械加工加上一台显微镜就可以完成，我们在探针台设备的研发中有着近二十年的经验，并有着精细机械加工的技术能力，可以为您提供高准确的探针台电学检测仪器，同时我们与世界电学信号测试厂家有着多年的合作，可以提供各类电学测试解决方案。在对射频设备进行原型设计和测试时，很多情况下，在... 【查看详情】

磁场探针台主要用于半导体材料、微纳米器件、磁性材料、自旋电子器件及相关技术领域的电、磁学特性测试，能够提供磁场或变温环境，并进行高精度的直流/射频测量。我们生产各类磁场探针台，稳定性强、功能多样、可升级扩展，适用于各大高校、研究所及半导体行业的实验研究和生产。详细参数：二维磁场探针台，包含两组磁铁，可同时提供垂直与面内磁场；面内磁铁极头间... 【查看详情】

12英寸晶圆在结构上具有更高的效率，以200mm工艺为例，在良率100%的情况下，可出88个完整的晶粒，理论上因方块切割所造成的边缘浪费率为23%(约有20个晶粒因缺角破损而无法使用)；而若以300mm工艺进行切割，则产出效率将更惊人，可产出193个完整的晶粒，会浪费19%的晶圆面积(36个不完整晶粒)。此外，12英寸厂的规模经济优势也不... 【查看详情】